[发明专利]一种透明导电WC薄膜及其室温生长方法

权利要求书

1.一种透明导电WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜的基体为非晶态WC，在非晶态WC基体中无序分布着高密度的结晶态的WC微晶，为六方相结构；所述WC薄膜中的W:C的原子百分比为53.1:46.9。

2.根据权利要求1所述一种透明导电WC薄膜，其特征在于：所述WC微晶尺寸5nm。

3.根据权利要求1所述一种透明导电WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜可见光透射率达85％，电阻率低至4.7×10^–3Ωcm。

4.根据权利要求1所述一种透明导电WC薄膜，其特征在于：所述WC薄膜的显微硬度为21GPa。

5.制备权利要求1～4任一项所述一种透明导电WC薄膜的方法，采用射频磁控溅射方法，其特征在于，包含如下步骤：

以WC合金为靶材，Ar-CH₄为工作气体；衬底在使用前由Ar等离子体轰击处理；当反应室抽至本底真空度高于1×10^–4Pa后，通入Ar-CH₄混合气体，沉积过程中气体压强保持在1.0Pa；以压强计，混合气体中CH₄含量为6％；所述WC薄膜在Ar和CH₄的等离子体气氛中室温生长；生长过程中，靶材旋转速率为30转/分钟，衬底旋转速率为40转/分钟；同时在沉积过程中采用汞灯照射衬底，汞灯的发光波长包括185nm和254nm，其中波长185nm的占10％，波长254nm的占90％。