[发明专利]SiC晶圆在线加工方法在审
| 申请号： | 201711432420.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962006A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 石佩 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 在线加工 非透光 淀积 背面 晶圆片 光线传感器 加工工序 加工效率 正面设置 定位边 有效地 透光 保证 加工 | ||
1.一种SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；
在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；
对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。
2.根据权利要求1所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述非透光物质为硅。
3.根据权利要求2所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述硅的厚度为2000nm-6000nm。
4.根据权利要求2所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述硅为多晶硅或非晶硅。
5.根据权利要求2所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，包括：采用改良的西门子法、辉光放电气相淀积法或PECVD的方法，在所述SiC晶圆的背面淀积硅。
6.根据权利要求5所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述采用PECVD的方法，在所述SiC晶圆的背面淀积硅，包括以下步骤：
将所述SiC晶圆置于设备中，在所述设备中通入SiH4气体；
对所述SiH4气体进行电离反应，在所述SiC晶圆的背面淀积生成硅。
7.根据权利要求1所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆的步骤之后，还包括：
去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质。
8.根据权利要求7所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质，包括：采用干法刻蚀或湿法刻蚀的方法，去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质。
9.根据权利要求8所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀的方法，去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质的步骤，包括：
将所述加工后的SiC晶圆置于刻蚀机内；
在所述刻蚀机内通入反应气体对所述加工后的SiC晶圆的背面进行刻蚀，去除所述非透光物质。
10.根据权利要求9所述的SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述反应气体为氯气或氯气与溴化氢混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
