[发明专利]齐纳二极管及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体制造技术领域，特别地，涉及一种齐纳二极管及其制作方法。

【背景技术】

齐纳二极管(Zener diode)，又叫稳压二极管，其主要是利用半导体pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，在电子电路里面其稳压作用的二极管。

在常规的齐纳二极管的制作工艺中，由于N型低掺杂区(NLDD区)和N型重掺杂区(N+区)通常是利用同一层掩膜板制作而成，所以NLDD区和N+区理论上是重合的。然而，由于光刻工艺的波动性，诸如曝光强度、套准偏差、显影效果等因素，NLDD区与N+区的实际区域是难以完全重合的，有可能出现NLDD区比N+区大的情况，也有可能出现NLDD区比N+区小的情况；在上述情况下，齐纳二极管的击穿点的结构是不同的，因此击穿电压可能也是不同的。也即是说，采用上述制作工艺制作而成的齐纳二极管的击穿电压可能会出现波动，从而进一步造成电路出现故障。

有鉴于此，有必要提供一种齐纳二极管及其制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种齐纳二极管的制作方法。本发明的另一个目的是提供一种采用上述制作方法制作而成的齐纳二极管。

本发明提供的齐纳二极管的制作方法，包括：提供P型衬底，并在所述P型衬底制作N型阱；在所述N型阱制作场氧化区，所述场氧化区在所述N型阱的内部界定齐纳二极管主体制作区域；在所述齐纳二极管主体制作区域进行第一次N型掺杂处理，形成N型低掺杂区；在所述N型低掺杂区进行第二次N型掺杂处理，以在所述N型低掺杂区形成N型重掺杂区，其中，所述N型低掺杂区和所述N型重掺杂区在形成过程中分别采用不同的曝光条件。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述N型低掺杂区和所述N型重掺杂区其中一个在欠曝光条件下形成，而另一个在过曝光条件下形成。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述N型低掺杂区和所述N型重掺杂区在形成之后其中一个的横向宽度不会超过另一个的横向范围。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述N型低掺杂区是在欠曝光条件下形成，而所述N型重掺杂区是在过曝光的条件下形成，并且，所述N型重掺杂区整体包住所述N型低掺杂区。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述N型低掺杂区是在过曝光条件下形成，而所述N型重掺杂区是在欠曝光的条件下形成，并且，所述N型低掺杂区整体包住所述N型重掺杂区。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：在所述齐纳二极管主体制作区域形成P型重掺杂区和齐纳二极管P型区。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述形成P型重掺杂区和齐纳二极管P型区的步骤包括：在所述N型低掺杂区的外围进行重掺杂处理，以形成所述P型重掺杂区；在所述齐纳二极管主体制作区域形成齐纳二极管P型区。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述齐纳二极管P型区延伸到所述齐纳二极管主体制作区域，并将所述N型低掺杂区、所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂整体包住。

作为在本发明提供的齐纳二极管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述N型重掺杂区或所述N型掺杂区与所述P型重掺杂区之间存在所述齐纳二极管P型区，且在所述N型重掺杂区或所述N型掺杂区与所述齐纳二极管P型区之间形成齐纳击穿结构。

本发明提供的齐纳二极管，采用如上所述的制作方法制作而成。

相较于现有技术，本发明提供的齐纳二极管及其制作方法通过优化N型低掺杂区(NLDD区)和N型重掺杂区(N+区)的曝光条件，使得二者其中一个在制作时处于欠曝光状态，而另一个在制作时处于过曝光状态，因此其中一个的横向宽度不会超过另一个范围，从而使得所述齐纳二极管的击穿结构稳定，保证所述齐纳二极管的击穿电压稳定性。另外，齐纳二极管的制作方法简单易行，生产上操作非常简便，不需要增加任何成本，且不会影响到半导体芯片电路的其他电路单元的制作。

【附图说明】