[发明专利]有机电致发光显示装置及其制备方法在审
申请号: | 201711425241.0 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108155217A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 谢雄伟;任思雨;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 有机绝缘层 凹陷部 薄膜晶体管 低反射率层 有机发光层 源/漏极 有机电致发光显示装置 基板 制备 阴极 发光区域 显示效果 反射率 发光 覆盖 | ||
本发明涉及一种有机电致发光显示装置及其制备方法,装置包括:基板;形成于基板上的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括源/漏极;形成于薄膜晶体管上的第一有机绝缘层,第一有机绝缘层在源/漏极对应的位置开设有过孔;形成于第一有机绝缘层上的阳极,阳极通过过孔与源/漏极连接,阳极在过孔对应的位置形成凹陷部;形成至少部分覆盖于阳极上的凹陷部的低反射率层;形成于低反射率层上的第二有机绝缘层;形成于阳极的发光区域上的有机发光层;形成于有机发光层上的阴极。通过在阳极的凹陷部上形成低反射率层,使得有机发光层发出的光在凹陷部上的反射率降低,从而有效避免局部的发光异常,使得显示效果更佳。
技术领域
本发明涉及有机发光显示制造技术领域,特别是涉及有机电致发光显示装置及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示屏具有自发光、超轻薄、响应速度快、视角宽、功耗低等优点,被认为是最具有潜力的显示器件。
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机电致发光器件)能够充分发挥OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)工艺简单、发光效率高、轻薄、色彩丰富以及视角宽等诸多优点,既可以在大尺寸显示器方面有所应有,也可以在微显示器方面发挥潜力。
AMOLED显示器件中,由于有机发光层自发光是朝各个方向发光,发光方向不受控制、不能通过自身调整,所以光线在照射到反射率高的表面会产生反射,比如阳极的表面会产生反射。传统的AMOLED的阳极层经由过孔与下层金属层连接,过孔位置的阳极呈现凹陷,在阳极凹陷的位置产生的反射较为集中,使得在阳极凹陷的位置产生异常发光,造成显示不良。
发明内容
基于此,有必要提供一种有机电致发光显示装置及其制备方法。
一种有机电致发光显示装置,包括:
基板;
形成于所述基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源/漏极;
形成于所述薄膜晶体管上的第一有机绝缘层,所述第一有机绝缘层在所述源/漏极对应的位置开设有过孔;
形成于所述第一有机绝缘层上的阳极,所述阳极通过所述过孔与所述源/漏极连接,所述阳极在所述过孔对应的位置形成凹陷部;
形成至少部分覆盖于所述阳极上的所述凹陷部的低反射率层;
形成于所述低反射率层上的第二有机绝缘层;
形成于所述阳极的发光区域上的有机发光层;
形成于所述有机发光层上的阴极。
在其中一个实施例中,所述低反射率层覆盖于所述阳极上的所述凹陷部。
在其中一个实施例中,所述低反射率层的材质包括钼、钛、二氧化铬和氮化钛中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述低反射率层的厚度大于或等于20nm。
在其中一个实施例中,所述低反射率层的线宽小于所述第二有机绝缘层的线宽。
一种有机电致发光显示装置的制备方法,包括:
提供基板;
在所述基板上制备薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源/漏极;
在所述薄膜晶体管上形成第一有机绝缘层;
在所述第一有机绝缘层开设对齐于所述源/漏极的过孔;
在所述第一有机绝缘层上形成阳极,且所述阳极覆盖于所述过孔的部分形成凹陷部,并通过所述过孔与所述源/漏极连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的