[发明专利]一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法有效

专利信息
申请号: 201711425122.5 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108175407B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李昊庭;付峰;徐灿华;刘学超;曹璐;董秀珍;杨滨;代萌 申请(专利权)人: 中国人民解放军第四军医大学
主分类号: A61B5/053 分类号: A61B5/053
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710032 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 颅脑 eit 局部 最优 正则 参数 选取 方法
【权利要求书】:

1.一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,获取颅脑电阻抗初始重建数据f0,根据f0选取全局最优正则化参数λglobal并重建图像,获得初始重建图像,其中,颅脑电阻抗初始重建数据f0包含脑实质的阻抗变化信息、颅骨的阻抗变化信息与头皮层的阻抗变化信息;

步骤2,提取初始重建图像背景区域的阻抗变化ρBGD,初始重建图像背景区域为颅骨与头皮区域;

步骤3,计算背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD

步骤4,从颅脑电阻抗初始重建数据f0中去除背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD,获得仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain

步骤5,基于仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain选择局部正则化参数λlocal,以局部正则化参数λlocal作为颅脑EIT局部最优正则化参数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中,根据f0基于L曲线法选取全局最优正则化参数λglobal

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中,基于阻尼最小二乘算法获取初始阻抗变化ρ0,ρ0=(JTJ+λglobalWTW)-1JTf0,其中ρ0对应的图像为初始重建图像,J为敏感系数矩阵,W=diag(J)为正则化矩阵。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2中,初始重建图像背景区域的阻抗变化ρBGD=Dρ0,其中,D为背景提取矩阵,背景提取矩阵D为一对角矩阵,其对角元素dii满足m表示单元编号,Ei表示第i个单元,Ω头皮颅骨表示头皮颅骨区域包含的单元集合,Ω脑实质表示脑实质区域包含的单元集合;ρ0为初始阻抗变化。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3中,背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD=JρBGD,J为敏感系数矩阵。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4中,仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain=f0-fBGD

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤5中,基于仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain再次利用L曲线法选择局部正则化参数λlocal

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