[发明专利]一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法有效
| 申请号: | 201711425122.5 | 申请日: | 2017-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN108175407B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
| 发明(设计)人: | 李昊庭;付峰;徐灿华;刘学超;曹璐;董秀珍;杨滨;代萌 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军第四军医大学 |
| 主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
| 地址: | 710032 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 颅脑 eit 局部 最优 正则 参数 选取 方法 | ||
1.一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,获取颅脑电阻抗初始重建数据f0,根据f0选取全局最优正则化参数λglobal并重建图像,获得初始重建图像,其中,颅脑电阻抗初始重建数据f0包含脑实质的阻抗变化信息、颅骨的阻抗变化信息与头皮层的阻抗变化信息;
步骤2,提取初始重建图像背景区域的阻抗变化ρBGD,初始重建图像背景区域为颅骨与头皮区域;
步骤3,计算背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD;
步骤4,从颅脑电阻抗初始重建数据f0中去除背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD,获得仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain;
步骤5,基于仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain选择局部正则化参数λlocal,以局部正则化参数λlocal作为颅脑EIT局部最优正则化参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中,根据f0基于L曲线法选取全局最优正则化参数λglobal。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中,基于阻尼最小二乘算法获取初始阻抗变化ρ0,ρ0=(JTJ+λglobalWTW)-1JTf0,其中ρ0对应的图像为初始重建图像,J为敏感系数矩阵,W=diag(J)为正则化矩阵。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2中,初始重建图像背景区域的阻抗变化ρBGD=Dρ0,其中,D为背景提取矩阵,背景提取矩阵D为一对角矩阵,其对角元素dii满足m表示单元编号,Ei表示第i个单元,Ω头皮颅骨表示头皮颅骨区域包含的单元集合,Ω脑实质表示脑实质区域包含的单元集合;ρ0为初始阻抗变化。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3中,背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD=JρBGD,J为敏感系数矩阵。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4中,仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain=f0-fBGD。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤5中,基于仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain再次利用L曲线法选择局部正则化参数λlocal。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军第四军医大学,未经中国人民解放军第四军医大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711425122.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





