[发明专利]一种分阶段实时调控SiC晶体生长界面温度和温度梯度的方法

权利要求书

1.一种分阶段实时调控碳化硅晶体生长过程中生长界面温度和温度梯度的方法，其特征在于，

采用物理气相传输方法在装有晶体生长原料和籽晶的坩埚内生长碳化硅单晶，晶体生长过程中分阶段上移坩埚位置，

在第一生长阶段，生长时长为t₁，保持坩埚位置不变，

在第i生长阶段，生长时长t_i=i×t₁，且坩埚平均上移速率V_i＜前一生长阶段坩埚平均上移速率V_i-1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，t₁为5～15小时，优选为10小时。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，设生长的晶体厚度为h，总生长阶段数为n，生长总时间为t，则h/4t ≤ V_i ≤h/t，优选为h/2t ≤ V_i ≤ h/[(2×n)×t_i)]。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，总生长阶段数≥2，优选为≥4。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，生长的晶体的厚度大于10mm，优选为15～50mm，生长总时间大于50小时，优选为50～200小时。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述坩埚为石墨坩埚。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述坩埚外部采用保温毡包裹。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，通过坩埚底部的传递装置移动装有坩埚的保温桶或单独移动坩埚，或者通过上部机械装置移动籽晶盖位置来移动坩埚。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述物理气相传输方法的工艺参数包括：将晶体生长炉的真空度抽至1.0×10^-2 Pa以下，充氩气至生长压强为5～40Torr，调节温度至2000～2400℃。