[发明专利]射频开关模块及系统、无线设备、半导体裸芯及其制造方法有效
申请号: | 201711420589.0 | 申请日: | 2013-07-06 |
公开(公告)号: | CN108155900B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | F.阿尔滕吉利克;G.布林;H.塞比;H.富;M.苏;J-H.李;A.马丹;N.斯里拉塔纳;C.希;S.斯普林克利 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693;H01L23/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡琪 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 开关 模块 系统 无线 设备 半导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种射频开关系统,包括:
连接在天线节点和传送节点之间的第一开关电路;
连接在所述天线节点和接收节点之间的第二开关电路;
在所述第一开关电路和所述天线节点之间与所述第一开关电路串联连接的第一电容器;
在所述第二开关电路和所述天线节点之间与所述第二开关电路串联连接的第二电容器;
连接到所述第一开关电路和所述传送节点的第一分流臂,所述第一分流臂包含连接到地的第三开关电路;以及
连接到所述第二开关电路和所述接收节点的第二分流臂,所述第二分流臂包含连接到地的第四开关电路,
所述第一开关电路、所述第二开关电路、所述第三开关电路以及所述第四开关电路中的每一个包含多个场效应晶体管以及补偿电路,所述多个场效应晶体管至少包含串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述补偿电路包含非线性电容器,所述非线性电容器在第一端处连接到所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的漏极两者,并且所述非线性电容器进一步在第二端处连接到接地参考,所述补偿电路被配置为补偿由所述多个场效应晶体管中的至少一个生成的非线性效应。
2.如权利要求1所述的射频开关系统,其中,所述第一电容器和第二电容器中的至少一个被配置为禁止低频阻断信号与所述开关中的基频信号混合。
3.如权利要求1所述的射频开关系统,其中,所述第一分流臂包含连接在所述第三开关电路和所述传送节点之间的第三电容器,并且所述第二分流臂包括连接在所述第四开关电路和所述接收节点之间的第四电容器。
4.一种射频开关系统,包括:
连接在天线节点和传送节点之间的第一开关电路;
连接在所述天线节点和接收节点之间的第二开关电路;
在所述第一开关电路和所述天线节点之间与所述第一开关电路串联连接的第一电容器;
在所述第二开关电路和所述天线节点之间与所述第二开关电路串联连接的第二电容器;
连接到所述第一开关电路和所述传送节点的第一分流臂,所述第一分流臂包含连接到地的第三开关电路和连接在所述第三开关电路与所述传送节点之间的第三电容器,
所述第一开关电路、所述第二开关电路和所述第三开关电路中的每一个包含多个场效应晶体管以及补偿电路,所述多个场效应晶体管至少包含串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述补偿电路包含非线性电容器,所述非线性电容器在第一端处连接到所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的漏极两者,并且所述非线性电容器进一步在第二端处连接到接地参考,所述补偿电路被配置为补偿由所述多个场效应晶体管中的至少一个生成的非线性效应。
5.一种半导体裸芯,包括:
半导体基底;
在所述半导体基底上形成并且连接在天线节点和传送节点之间的第一开关电路;
在所述半导体基底上形成并且连接在所述天线节点和接收节点之间的第二开关电路;
在所述半导体基底上形成并且在所述第一开关电路和所述天线节点之间与所述第一开关电路串联连接的第一电容器;
在所述半导体基底上形成并且在所述第二开关电路和所述天线节点之间与所述第二开关电路串联连接的第二电容器;
连接到所述第一开关电路和所述传送节点的第一分流臂,所述第一分流臂包含连接到地的第三开关电路;以及
连接到所述第二开关电路和所述接收节点的第二分流臂,所述第二分流臂包含连接到地的第四开关电路,
所述第一开关电路、所述第二开关电路、所述第三开关电路以及所述第四开关电路中的每一个包含多个场效应晶体管以及补偿电路,所述多个场效应晶体管至少包含串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述补偿电路包含非线性电容器,所述非线性电容器在第一端处连接到所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的漏极两者,并且所述非线性电容器进一步在第二端处连接到接地参考,所述补偿电路被配置为补偿由所述多个场效应晶体管中的至少一个生成的非线性效应。
6.如权利要求5所述的半导体裸芯,进一步包括被布置在所述第一开关电路和所述半导体基底之间的绝缘体层。
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