[发明专利]一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法有效
| 申请号: | 201711420583.3 | 申请日: | 2017-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN109962000B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
| 发明(设计)人: | 倪图强;左涛涛;刘身健;陈星建;万磊 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 减少 污染 颗粒 等离子体 处理 装置 及其 方法 | ||
1.一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置(1),其特征在于,包含腔体(13)和衬套(12),所述衬套(12)上方设有介电窗(11),所述腔体(13)、衬套(12)和介电窗(11)围绕形成反应腔,所述反应腔内底部包括用于放置晶圆的基座,基座下方包括用于抽出反应腔内气体维持反应腔内低压的抽真空装置;
所述腔体(13)内设置有遮挡在所述腔体(13)侧壁上的开口和衬套侧壁上的开口(10)之间的遮挡板(16),其阻挡由传输腔(2)流向所述反应腔的气体中的污染颗粒;
所述衬套侧壁开口(10)的下部设有孔槽(B),所述遮挡板(16)下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成一个流动空间,所述流动空间通过所述孔槽(B)与衬套(12)的内部空间相联通形成气体流动路径,使得进入所述流动空间内的污染颗粒通过所述气体流动路径被所述抽真空装置抽走;所述腔体(13)上端通入清洁气体(A),该清洁气体(A)沿遮挡板(16)垂直向下流动形成气幕,经过所述遮挡板(16),穿越所述流动空间后通过所述气体流动路径被带离所述反应腔。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置(1),其特征在于,
所述等离子体 处理装置(1)通过真空阀(3)与所述传输腔(2)连接;
当所述真空阀(3)开启时,所述传输腔(2)内的气体流向反应腔时,所述遮挡板(16)关闭,所述传输腔(2)的气体中的污染颗粒直接碰撞遮挡板(16)后向下进入所述流动空间。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置(1),其特征在于,
所述抽真空装置为涡流泵(15),所述涡流泵(15)通过摆动式锁气阀(14)与所述腔体(13)连接。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置(1),其特征在于,
所述腔体(13)上开设有气体管道联通到供应所述清洁气体(A)的清洁气体源,所述清洁气体(A)进入腔体(13)后沿着腔体内壁与衬套外壁之间的缝隙向下流动。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置(1),其特征在于,
所述遮挡板(16)下方包括一个可上下移动的支持杆,以使得所述遮挡板(16)可以在两个不同高度的位置之间移动;
其中,当所述支持杆在第一高度时,所述遮挡板(16)为关闭状态,所述遮挡板(16)遮挡在衬套侧壁开口(10);
当所述支持杆在第二高度时,所述遮挡板(16)为开启状态,来自传输腔(2)的晶圆经过衬套侧壁开口(10),进入反应腔内放置的基座上。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置(1),其特征在于,
所述衬套(12)的底端包括一个向内侧基座延伸的环形横向延展部,环形横向延展部上包括多个气体通道,使得反应腔内的包括等离子的反应气体在穿过所述环形横向延展部时,熄灭等离子。
7.一种等离子体刻蚀系统,其特征在于,包含传输腔(2)和如权利要求1-6任意一项所述的可减少污染颗粒的等离子体 处理装置(1);所述等离子体 处理装置(1)的衬套侧壁开口(10)的下部设有孔槽(B);所述等离子体 处理装置(1)的腔体(13)内设有遮挡板(16),阻挡由传输腔(2)流向反应腔的气体中的污染颗粒;所述遮挡板(16)下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成的流动空间通过所述孔槽(B)与衬套(12)的内部空间相联通,形成气体流动路径,使得所述污染颗粒通过所述气体流动路径被抽真空装置抽走。
8.如权利要求7所述的等离子体刻蚀系统,其特征在于,
所述抽真空装置为涡流泵(15),所述涡流泵(15)通过摆动式锁气阀(14)与所述腔体(13)连接。
9.如权利要求7所述的等离子体刻蚀系统,其特征在于,
所述等离子体 处理装置(1)通过真空阀(3)与所述传输腔(2)连接;
当所述真空阀(3)开启时,所述传输腔(2)内的气体流向反应腔时,所述遮挡板(16)关闭,所述传输腔(2)的气体中的污染颗粒直接碰撞遮挡板(16)后向下进入所述流动空间。
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