[发明专利]一种气体绝缘组合电器局部放电模式识别方法

权利要求书

1.一种气体绝缘组合电器局部放电模式识别方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

1)建立不同类型的局部放电缺陷模型，对各模型进行模拟放电实验，采用超高频检测法获取波形数据；

2)采用EEMD算法和SVD算法提取表征波形特征的多维特征矢量；

3)采用经过粒子群算法优化的支持向量机训练获取的样本；

4)用训练好的支持向量机对实测局部放电进行分类。

2.根据权利要求1所述的一种气体绝缘组合电器局部放电模式识别方法，其特征在于，所述步骤2)包括以下几个步骤：

a)对原始局部放电信号进行EEMD，获取IMFs，进行EEMD后，原始信号可以表示为：

x(t)=Σi=1nci(t)+rn(t)]]>

其中，c_i(t)和r_n(t)分别表示i个IMF和冗余项；

b)根据IMFs频率的降序排列原理，选取频率大于0.3GHz的IMFs；

c)计算所选IMFs中每个IMF的样本熵，计算公式为：

SampEn(m,r,N)=ln[1N-m+1Σi=1N-m+1Crm(i)-1N-(m+1)+1Σi=1N-(m+1)+1Crm+1(i)]]]>

其中，SampEn(m,r,N)表示样本熵，r为设定阈值，N表示信号长度，m表示匹配长度，表示匹配模板数；

d)将所选IMFs组成IMF矩阵，并对该矩阵进行分块，进一步对每个子矩阵A进行奇异值分解，计算公式为：

A=USVT=Σi=1rUiδiViT]]>

其中，U＝[u₁,u₂,...,u_m]∈R^m×m表示左奇异矩阵，V＝[v₁,v₂,...,v_n]∈R^n×n表示右奇异矩阵，δ_i表示第i个奇异值，r为矩阵A的秩；

e)用每个子矩阵的最大奇异值占比和各IMF的样本熵组成表征原始信号的特征矢量：

rti=δimaxδisum,i=1,2...,N]]>

fts＝[rt₁,rt₂,...,rt_N,SampEn₁,SampEn₂,...,SampEn_M]

其中，δ_imax表示第i个子矩阵的最大奇异值，δ_isum表示第i个子矩阵的奇异值之和，rt_i表示第i个子矩阵的最大奇异值占比，SampEn_M表示第M个IMF，fts表示特征矢量。

3.根据权利要求1所述的一种气体绝缘组合电器局部放电模式识别方法，其特征在于：所述不同类型的局部放电缺陷模型包括：针-板电极缺陷模型、绝缘子气隙缺陷模型、绝缘子表面金属污秽模型和自由金属颗粒模型。