[发明专利]一种宽带隙有机半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711418999.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108084409B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄飞;谢锐浩;应磊 | 申请（专利权）人： | 华南协同创新研究院 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C07D519/00;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 宫爱鹏 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽带隙有机半导体材料，其特征在于，所述材料结构式如下：
其中，R1、R2和R3为氢或具有1-30个碳原子的烷基，或者是所述具有1-30个碳原子的烷基中一个或多个碳原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团；π单元选自以下结构：n为所述有机半导体材料的聚合度，n为1到10000的自然数。
2.权利要求1所述宽带隙有机半导体材料在有机太阳电池中的应用。
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，将所述有机半导体材料与电子受体材料ITIC、ITIC-4F、PCBM或其衍生物、或无机纳米晶溶于加工溶剂制成活性层溶液，涂覆在玻璃或缓冲层上，制备成薄膜，然后在薄膜上蒸镀金属制备成器件。
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