[发明专利]基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711417795.6 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108091761B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李亮;周含;刘玉兰;喻湘华 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;闭钊 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磺化 石墨 吡咯 纳米 粒子 复合材料 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：该存储器件由下电极、中间电活性存储层和上电极组成，其中下电极选自ITO导电玻璃、单晶硅、表面蒸镀有氧化铟掺锡的柔性PET聚酯薄膜中的一种，中间电活性存储层为磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料，上电极为金属铝；所述存储器件的制备方法包括以下步骤：
（a）将下电极表面处理干净备用；
（b）将石墨改性得到磺化石墨烯，接着在氧化剂存在条件下，将磺化石墨烯与吡咯单体混合反应，分离得到磺化石墨烯/聚吡咯复合材料；
（c）将磺化石墨烯/聚吡咯复合材料分散在水中，再加入高氯酸金，反应后分离得到磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料；
（d）将磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料分散在甲苯中，将所得溶液旋涂在下电极上，干燥后得到中间电活性存储层；
（e）在中间电活性存储层上蒸镀一层铝，得到存储器件。
2.根据权利要求1所述的一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：所述中间电活性存储层厚度为100-150nm，所述上电极厚度为100-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：步骤（b）中磺化石墨烯与吡咯单体、氧化剂的质量比为1：0.3-34：0.7-200，混合后在常温下反应12-36h。
4.根据权利要求1或3所述的一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：所述氧化剂为氯化铁、硝酸铁、硫酸铁、过硫酸钾、过硫酸铵中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：步骤（c）中磺化石墨烯/聚吡咯复合材料与高氯酸金的质量比为1：0.02-0.6，磺化石墨烯/聚吡咯复合材料分散在水中需超声0.5-1h，加入高氯酸金后在0-4℃反应0.5-2h。
6.根据权利要求1所述的一种基于磺化石墨烯/聚吡咯/金纳米粒子复合材料的存储器件，其特征在于：步骤（d）中旋涂速度为3000-5000转/分钟，旋涂时间为30-60秒，旋涂完成后在100℃干燥10-20min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学，未经武汉工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711417795.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
