[发明专利]气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种在包括形成有多个气体排出口的电极部件的等离子体处理用的气体供给装置中，实现使形成于气体排出口的喷镀膜的膜厚的均匀化的技术。在用于等离子体处理的具有形成有多个气体流路(41)的电极板(32B)的气体供给装置中，以在气体流路41与气体排出口(40)的边界部(Pa)形成角部的方式向外侧弯折，从位于角部的外侧的内周面至下表面(300)形成为弯曲面。因此，在向气体排出口(40)吹附喷镀材料(50)时吹附喷镀材料(50)的方向与气体排出口(40)的内周面所成的角度变大，能够防止气体排出口(40)的上游侧的边界附近的薄膜化。

技术领域

本发明涉及对基片进行等离子体处理时使用的包括电极部件的气体供给装置的技术领域。

背景技术

作为半导体制造装置，具有利用等离子体对基片进行成膜处理、蚀刻等的等离子体，例如已知有在兼用上部电极的被称为气体喷头等的气体供给部与兼用下部电极的基片的载置台之间施加高频电力的平行平板型的等离子体处理装置。

在这种等离子体处理装置中，在用于气体供给部的上部电极形成有多个气体流路，在气体流路的下端部形成有孔部扩开的气体排出口(气孔口)。在这种上部电极中，形成于上部电极的表面的耐酸铝因等离子体而消耗导致的微粒的产生和异常放电成为问题。因此，要求气体排出口的耐等离子体性的提高。

为了提高上部电极的耐等离子体性，例如像专利文献1、2中记载的那样在气体排出口的进行了耐酸铝处理的表面进行陶瓷喷镀，形成保护膜的技术。在这样的气体排出口的开口部附近形成喷镀膜时，例如在上部电极的一个面(与载置台相对的面)上从垂直的方向利用喷镀枪吹附喷镀材料，使喷镀枪沿上述一个面平行移动，在各气体排出口形成喷镀膜。

但是，在上述一个面上利用喷镀枪从垂直的方向吹附喷镀材料时，气体排出口的内周面的上游侧的部分，内周面与喷镀材料的吹附方向的角度变小，难以吹附喷镀材料。因此，在气体排出口的上游附近的部位有喷镀膜变薄的趋势。当喷镀膜局部变薄时，在变薄了部位喷镀膜被削掉而下层变得容易露出，存着上部电极的使用寿命变短的问题。另外，如果一边调整喷镀枪的角度来调节喷镀材料的吹附角度一边进行喷镀，则存在喷镀步骤变得繁杂的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5782293号公报

专利文献2：日本特许第5198611号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明鉴于这样的问题，目的在于提供一种在包括形成有多个气体排出口的电极部件的等离子体处理用的气体供给装置中，实现使形成于气体排出口的喷镀膜的膜厚的均匀化的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的气体供给装置，其特征在于，包括：

用于产生等离子体的电极部件；

在上述电极部件上以向该电极部件的一个面延伸的方式形成的多个气体流路；

与上述气体流路的下游端相连地形成，且孔径随着向上述一个面去而扩大的气体排出口；和

在上述气体排出口的表面由喷镀膜形成的保护膜，

在上述气体流路与上述气体排出口的边界，内周面向外侧弯折而形成角部，并且从与上述角部相比位于外侧的内周面的部位至上述电极部件的一个面一侧的表面形成为弯曲面，在沿上述气体流路的轴线的截面上，从上述角部至上述弯曲面的内端之间为直线。

另外，本发明的气体供给装置，其特征在于，包括：

用于产生等离子体的电极部件；

在上述电极部件上以向该电极部件的一个面延伸的方式形成的多个气体流路；