[发明专利]一种高强高韧高导电性石墨烯膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高强高韧高导电石墨烯膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）将稀土金属离子、水溶性高分子和氧化石墨烯GO混合，得到均匀的悬浮液或水溶胶；这里引入稀土金属离子及含有能与稀土进行配位基团的水溶性高分子，在体系中同时构建多种相互作用，包括配位键、氢键和π-π作用；

（2）将上述悬浮液或水溶胶浇铸或过滤，然后干燥，得到GO基的薄膜；

（3）上述GO基薄膜经过还原、清洗、干燥，得到高强度高韧性高导电性石墨烯膜；

步骤（1）中所述高分子选自含有羧基、羟基、邻菲罗啉配体基团的水溶性高分子；

步骤（1）中所述稀土金属离子为3价稀土离子，通过3价稀土化合物的水溶液形式加入；这里，所述稀土化合物是一种稀土元素的化合物，或者是多种稀土化合物的混合物；

步骤（1）中所述GO的以液体形式保存；

步骤（1）中所述水溶性高分子和GO原始投料质量比为1:99-10:90，所述稀土金属离子的量为高分子和GO总质量的1~5%，所述高分子和GO总的浓度为3~5 mg mL^-1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述干燥温度为室温~80℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，还原用的还原剂为氢碘酸、水合肼、维生素溶液中的一种；清洗用的清洗剂是水和无水乙醇；所述干燥温度为室温~100℃。

4.由权利要求1~3之一所述的制备方法得到的石墨烯膜，其厚度为5~20 μm。