[发明专利]一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法

权利要求书

1.一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1：在硒化铋样品表面上通过电子束蒸发沉积一对钛金电极，电极间距为1.2mm；

步骤S2：将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，然后垂直入射在样品两电极连线的中点；调节二分之一波片，使其主轴方向与起偏器的偏振方向平行；

步骤S3：沿着两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，将每一个二分之一波片角度下的光电流输入前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集；

步骤S4：当激光光斑照射在两电极连线中点时，测得的光电流J用如下公式进行拟合：

其中，为二分之一波片与起偏器偏振方向的夹角，拟合得到光斑在两电极连线中点处时的普通线偏振光电流J_LPGE0和角度Φ₀，以及背景电流y₀₀，

当光斑照射在非两电极连线中点位置时，测得的光电流J用如下公式进行拟合：

得到不同光斑位置处的背景电流y₀，J_L为线偏振光相关的光电流，包括普通线偏振光电流和反常线偏振光电流，φ为拟合参数；

则不同光斑位置处的普通线偏振光电流J_LPGE：

J_LPGE(x)＝J_LPGE0×y₀(x)/y₀₀ 公式(3)

其中，x表示光斑位置坐标，y₀(x)表示当光斑照射在x位置时的背景电流，用如下公式对非两电极连线中点的不同光斑位置处的光电流进行拟合：

得到不同光斑位置处的反常线偏振光电流L₁和L₂；所述硒化铋为单晶结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中定距为0.1mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中，二分之一波片每转动5度采集一次光电流。