[发明专利]一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层（100）及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层（100）上的基区、发射区及集电区，其特征在于，所述低掺杂单晶硅衬底层（100）与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层（101），所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层（107）；

所述二氧化硅绝缘层（101）之上由下至上依次包括重掺杂弛豫Si_1-yGe_y亚集电区层（102）、轻掺杂弛豫Si_1-yGe_y集电区层（103）、Si_1-xGe_x基区薄层（105）及重掺杂应变硅发射区层（107），x与y均为大于0且小于0.3，且x≥y，其中：

所述轻掺杂弛豫Si_1-yGe_y集电区层（103）、所述Si_1-xGe_x基区薄层（105）及所述重掺杂应变硅发射区层（107）的面积由下至上逐渐减小，形成一个台面结构；

所述台面结构上设置有二氧化硅淀积层（110）；

所述二氧化硅淀积层（110）覆盖在所述重掺杂应变硅发射区层（107）的部分上设置有与所述重掺杂应变硅发射区层（107）相连通的发射区电极窗口（111），所述发射区电极窗口（111）内填充有多晶硅（113），多晶硅（113）表面设置有金属层形成第一金属引线（117）；

所述二氧化硅淀积层（110）覆盖在所述轻掺杂弛豫Si_1-yGe_y集电区层（103）的部分上设置有与所述轻掺杂弛豫Si_1-yGe_y集电区层（103）相连通的集电区电极窗口（112）及基区电极窗口（114），所述集电区电极窗口（112）内填充有多晶硅（113），多晶硅（113）表面设置有金属层形成第二金属引线（116），所述集电区电极窗口（112）内的多晶硅的下端面与所述重掺杂弛豫Si_1-yGe_y亚集电区层（102）之间的区域的成分与所述重掺杂弛豫Si_1-yGe_y亚集电区层（102）的成分相同，所述基区电极窗口（114）内填充有金属形成第三金属引线（118）。

2.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，所述重掺杂弛豫Si_1-yGe_y亚集电区层（102）的厚度小于等于100nm。

3.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，所述轻掺杂弛豫Si_1-yGe_y集电区层（103）的厚度大于所述重掺杂弛豫Si_1-yGe_y亚集电区层（102）的厚度。

4.如权利要求1所述的绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，其特征在于，重掺杂应变硅发射区层（107）的厚度小于等于30nm，所述多晶硅（113）的厚度大于等于100nm。