[发明专利]用于生长石墨烯的立式管式炉和挂架有效

专利信息
申请号: 201711408019.X 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN109956467B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 沈大勇;谭朋利;刘海滨;谭化兵 申请(专利权)人: 无锡格菲电子薄膜科技有限公司;常州第六元素半导体有限公司
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 代理人: 郝文博;肖淑芳
地址: 214000 江苏省无锡市惠山经*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 生长 石墨 立式 管式炉 挂架
【权利要求书】:

1.一种用于生长石墨烯的立式管式炉,包括:

炉体,所述炉体内设置有工艺舱;

过渡舱,其设置在所述炉体的上方或下方,所述过渡舱构造成与所述工艺舱可连通和可关断;

挂架,设置在所述工艺舱中,用于放置生长衬底;和

移动装置,可将所述挂架在所述工艺舱和所述过渡舱之间来回移动;

所述移动装置为升降装置,所述升降装置包括电机、丝杆、导柱和托盘,所述导柱的一端与所述丝杆活动连接,另一端可伸入所述过渡舱内,与所述托盘连接,所述托盘用于放置所述挂架;通过所述电机驱动所述丝杆带动所述导柱伸入伸出所述过渡舱;

所述挂架包括:上面板、下面板和连接所述上面板和下面板的管道,所述管道用于放置所述生长衬底;所述上面板和下面板为圆形面板,所述上面板和下面板上设置有多个孔;所述管道为圆形管道,所述管道上设置有多个孔,所述管道上的孔沿气流方向的角度为45°。

2.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中所述过渡舱设置在所述炉体的下方。

3.根据权利要求1或2所述的立式管式炉,其还包括机架,所述机架构造成用于支撑所述炉体和所述过渡舱,所述移动装置安装在所述机架上、所述炉体上或所述过渡舱上,所述移动装置包括电机和托盘,所述电机直接或间接驱动所述托盘,所述托盘可与所述挂架接合。

4.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中所述工艺舱一端设置有进气口,另一端设置有真空抽口。

5.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中所述工艺舱为石英管。

6.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中所述过渡舱包括设置在所述过渡舱侧壁上的过渡舱进气口、过渡舱真空抽口、真空计接口、舱门和观察窗。

7.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中还包括阀门,所述阀门可连通和关断所述过渡舱和所述工艺舱。

8.根据权利要求1所述的立式管式炉,其中所述导柱与所述过渡舱接触部分设置有密封圈。

9.一种利用权利要求1-8中任一项所述的立式管式炉生长石墨烯的方法,包括:

S1:将设置有生长衬底的挂架放置在所述过渡舱中;

S2:对所述工艺舱和所述过渡舱抽真空处理;

S3:通过所述移动装置将放置在所述过渡舱中的挂架送入所述工艺舱中;

S4:向所述工艺舱中通入工艺气体进行石墨烯膜生长;和

S5:通过所述移动装置将生长完成后的挂架移动到所述过渡舱中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司;常州第六元素半导体有限公司,未经无锡格菲电子薄膜科技有限公司;常州第六元素半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711408019.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top