[发明专利]一种受保护的静电吸盘及其应用

权利要求书

1.一种受保护的静电吸盘，其特征在于，该静电吸盘(1)包含：

静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层(10)、中间粘合层(20)和陶瓷层(30)；以及

环状保护板(40)，其用于密封中间粘合层(20)，包含：环状工程塑料层(40a)和环状橡胶层(40b)，其中环状工程塑料层(40a)环绕所述环状橡胶层(40b)，该环状工程塑料层(40a)和环状橡胶层(40b)粘结在一起；

所述的环状保护板(40)围置并覆盖在所述的中间粘合层(20)的外侧面的裸露部分上。

2.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)为由不同的材料制备的保护带而复合的环状工程塑料层。

4.根据权利要求2所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)采用的材料包含：全氟材料或非全氟材料。

5.根据权利要求4所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)为由不同的材料制备的保护带而复合的环状橡胶层。

6.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的中间粘合层(20)设置在所述的基层(10)和陶瓷层(30)之间且其直径小于所述的基层(10)和陶瓷层(30)的直径。

7.根据权利要求6所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状保护板(40)设置在所述的中间粘合层(20)的外围，且设置在所述的基层(10)和陶瓷层(30)之间。

8.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，该静电吸盘(1)还包含：位于所述的环状保护板(40)和中间粘合层(20)之间的密封胶层(50)。

9.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层与所述的密封胶层(50)紧贴。

10.根据权利要求9所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数大于所述的静电夹盘的热膨胀系数，所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数大于所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数。

11.根据权利要求10所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数为所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数的1.5～5倍。

12.根据权利要11所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数为150～250×10^-6μm/(m*℃)；所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数为50～100×10^-6μm/(m*℃)。

13.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的基层(10)中设有冷却液管道。

14.根据权利要求13所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的陶瓷层(30)中设有：静电吸附电极；在使用状态时，该静电吸附电极与高压直流电源连接。

15.一种真空处理室，其特征在于，该真空处理室包含：反应腔(100)；该反应腔(100)内设有基座(110)；在该基座(110)上设有如权利要求1-14中任意一项所述的静电吸盘(1)，其用于对待处理的基片(1A)进行支撑和固定。

16.一种等离子体处理装置，其特征在于，该装置包含：

真空处理室，其为如权利要求16所述的真空处理室；

气体供应装置(200)，其与所述的反应腔(100)连接，用于输送反应气体至所述的反应腔(100)内；以及

射频功率源(300)，其与所述的反应腔(100)连接，用于施加射频功率至所述的反应腔(100)，将反应腔(100)内的反应气体电离产生等离子体。