[发明专利]一种气体喷淋头及防止聚合物积聚的方法

权利要求书

1.一种气体喷淋头，包含：所述气体喷淋头位于等离子体处理装置的反应腔内的顶部；所述气体喷淋头包括：气体喷淋头主体，气体容纳腔和顶部盖板；该气体容纳腔设置在气体喷淋头主体与顶部盖板之间；反应气体经所述气体喷淋头的多个第一气体喷射孔引入到所述反应腔内；所述气体喷淋头主体包括：平坦区域表面，分布有各个第一气体喷射孔的出气口；所述平坦区域外圆周设置有倾斜表面；所述气体喷淋头与放置晶圆的底部基座相对，其特征在于，所述气体喷淋头主体还设有多个第二气体喷射孔，分布在所述平坦区域表面边缘处，每个所述第二气体喷射孔的出气口对准所述倾斜表面，反应气体经所述第二气体喷射孔引入到所述反应腔内。

2.如权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，

所述气体喷淋头的平坦区域表面的直径大于晶圆的直径，使所述倾斜表面对应于晶圆的范围之外。

3.如权利要求1或2所述的气体喷淋头，其特征在于，所述气体喷淋头主体暴露在等离子体中的表面设有采用PECVD方式形成的防等离子体腐蚀的Y₂O₃涂层。

4.如权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述等离子处理装置为电容耦合等离子体反应器时，所述气体喷淋头作为上电极。

5.如权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述第二气体喷射孔与第一气体喷射孔内互相隔离形成独立的供气管道，使得第二气体喷射孔的气流量大于第一气体喷射孔的气流量。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：腔体，置于所述腔体中的用来放置待处理晶圆的底部基座，所述底部基座内设有下电极与射频环，加热器，其设置在所述腔体的腔盖或者腔体内，设置在所述腔盖上的如权利要求1～5中任意一项所述的气体喷淋头，所述气体喷淋头包含：气体喷淋头主体，所述气体喷淋头主体包括：分布设置有多个第一气体喷射孔的平坦区域，设置在所述平坦区域外圆周的倾斜表面，所述倾斜表面对应待处理晶圆的范围之外；

或者，所述平坦区域表面边缘处设有用于清除积聚在所述倾斜表面上的聚合物的第二气体喷射孔。

7.一种防止聚合物在气体喷淋头上沉积的方法，反应气体从设置在平坦区域表面上的多个第一气体喷射孔引入到反应腔内，其特征在于，在气体喷淋头主体上的平坦区域通过倾斜表面延伸到边缘台阶，通过对平坦区域表面与倾斜表面之间的夹角的角度和/或对倾斜表面的倒圆角尺寸进行合适选择，对所述倾斜表面处的离子轰击的强度进行调整，进而使聚合物在倾斜表面上积聚速率被限制；

通过在气体喷淋头主体上的平坦区域表面边缘处设置多个第二气体喷射孔，各个所述第二气体喷射孔的出气口对准所述倾斜表面，当对晶圆进行刻蚀时，反应气体从各个所述第二气体喷射孔引入到等离子体处理装置的反应腔内，所述第二气体喷射孔出射的反应气体变成的等离子体冲洗位于所述倾斜表面的聚合物，所述反应气体为刻蚀气体。

8.如权利要求7所述的防止聚合物在气体喷淋头上沉积的方法，其特征在于，通过增大所述气体喷淋头的平坦区域表面的直径，使得所述平坦区域表面的直径大于晶圆的直径，所述倾斜表面对应于晶圆的范围之外。

9.如权利要求7所述的防止聚合物在气体喷淋头上沉积的方法，其特征在于，所述等离子处理装置为电容耦合等离子体反应器时，所述气体喷淋头作为上电极。