[发明专利]大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法

权利要求书

1.大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述方法包括

前驱体溶液的制备：将钙钛矿材料ABX₃或将钙钛矿原材料AX_n和BX_3-n按摩尔比(1～1.2):1配置，溶解在NMP溶剂或NMP混合溶剂中，加温搅拌6～24小时，获得前驱体溶液；所述NMP混合溶剂中NMP占体积比98％～80％；

基底的制备：选用导电基底材料，并清洗备用；在导电基底材料上制备电子传输层和空穴传输层中的一个；将制备好的基底在100～150℃保温加热；

将加温搅拌后的前驱体溶液喷涂到100～150℃的热基底上，并持续保温加热到所述前驱体溶液中的溶剂挥发，所述基底上生成大晶粒钙钛矿薄膜；

在大晶粒钙钛矿薄膜上制备所述电子传输层和空穴传输层中的另一个，形成大晶粒钙钛矿薄膜光电材料。

2.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述钙钛矿材料ABX₃能够通过溶解法制得，所述溶解法包括：

将钙钛矿原材料AX_n和BX_3-n按摩尔比(1～1.2):1的比例溶解在有机溶剂DMF中，室温搅拌6～24小时后加热析出ABX₃钙钛矿纳米晶。

3.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述ABX₃或AX中，A为CH₃NH₃⁺、H₂N-CH＝NH₂⁺、(CH₃)₄N⁺、C₇H₇⁺、Cs⁺、C₃H₁₁SN₃²⁺中的一种或多种；X为卤素离子，包括Cl、Br或I；所述ABX₃或BX_3-n中，B为金属离子，包括Pb、Sn或Ge；所述AX_n和BX_3-n中，n为1或2。

4.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述NMP混合溶剂为NMP和DMF、DMSO、DMAC、GBL或NEP中的一种或多种的混合溶剂，其中NMP占98％～80％。

5.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述电子传输层的材料包括TiO₂、SnO₂、ZnO或NiO，所述空穴传输层的材料包括P₃HT、Spiro-OMeTAD、PTAA、PEDOT或NiOx。

6.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述导电基底上的电子传输层或空穴传输层制备方法包括旋涂法、喷涂法或蒸镀法。

7.根据权利要求1所述的大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，其特征在于：所述大晶粒钙钛矿薄膜的晶粒尺寸为mm级以上。