[发明专利]热载流子注入效应的寿命评估方法和系统

说明书

本发明涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法和系统。所述方法包括：获取环形晶体管的漏极应力电压取值范围以及工艺常数；在所述漏极应力电压取值范围内选定两个以上不同的漏极应力电压，确定各漏极应力电压对应的栅极应力电压；根据漏极应力电压及其对应的栅极应力电压，得到对应的热载流子注入效应的应力电压条件；在各种应力电压条件下进行环形晶体管的热载流子退化实验，得到各种应力电压条件下的热载流子的加速系数；根据环形晶体管的工艺常数、两种以上应力电压条件下的热载流子的加速系数以及预设的漏电压模型，得到热载流子注入效应的寿命。极大的缩短退化速度，从而缩短热载流子注入效应的测试时间。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法以及一种热载流子注入效应的寿命评估系统。

背景技术

半导体器件是集成电路中不可缺的电子器件，因此，半导体器件的可靠性将直接影响集成电路芯片的可靠性。在半导体器件中，热载流子注入效应是影响半导体晶体管器件性能的重要指标，也是晶体管器件可靠性测试的一个重要指标。

但是随着半导体技术的发展，晶体管器件的工作电压随着沟道长度的减小而降低，热载流子注入效应引起的器件性能退化程度降低，进行热载流子注入效应试验的失效时间增大，为了更加准确的评估热载流子注入效应的寿命时间，需要更长的时间来进行热载流子注入效应的测试，但这需要大量测试的时间。

发明内容

基于此，有必要针对热载流子注入效应的测试时间长的问题，提供一种热载流子注入效应的寿命评估方法和系统。

一种热载流子注入效应的寿命评估方法，包括：

获取环形晶体管的漏极应力电压取值范围以及工艺常数；

在所述漏极应力电压取值范围内选定两个以上不同的漏极应力电压，确定各漏极应力电压对应的栅极应力电压；

根据漏极应力电压及其对应的栅极应力电压，得到对应的热载流子注入效应的应力电压条件；由此得到至少两种所述应力电压条件；

在各种应力电压条件下进行环形晶体管的热载流子退化实验，得到各种应力电压条件下的热载流子的加速系数；

根据环形晶体管的工艺常数、两种以上应力电压条件下的热载流子的加速系数以及预设的漏电压模型，得到热载流子注入效应的寿命。

一种热载流子注入效应的寿命评估系统，包括：

范围获取模块，用于获取环形晶体管的漏极应力电压取值范围以及工艺常数；

栅电压获取模块，用于在所述漏极应力电压取值范围内选定两个以上不同的漏极应力电压，确定各漏极应力电压对应的栅极应力电压；

应力条件确定模块，用于根据漏极应力电压及其对应的栅极应力电压，得到对应的热载流子注入效应的应力电压条件；由此得到至少两种所述应力电压条件；

加速系数获取模块，用于在各种应力电压条件下进行环形晶体管的热载流子退化实验，得到各种应力电压条件下的热载流子的加速系数；

寿命计算模块，用于根据环形晶体管的工艺常数、两种以上应力电压条件下的热载流子的加速系数以及预设的漏电压模型，得到热载流子注入效应的寿命。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。

一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述方法的步骤。