[发明专利]一种制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201711406168.2 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN107892572B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 王天畅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十七研究所
主分类号: H01L41/18 分类号: H01L41/18;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;C04B41/88
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 110032 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 青铜 结构 scnn 压电 陶瓷 方法
【权利要求书】:

1.一种制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,其特征在于:所述SCNN无铅压电陶瓷的组成通式为:Sr2-xCaxNaNb5O15,其中:x为摩尔分数;该无铅压电陶瓷采用固相合成法制备,制备过程中控制其组成通式中x的范围为0.14-0.155;

所述SCNN无铅压电陶瓷制备过程中,当x=0.14-0.155,随烧结温度的升高所制备压电陶瓷的压电性呈现出先下降、再升高、再下降的规律;同时,该压电陶瓷的密度、晶胞大小和介电性质也呈现该规律;

所述的制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,为固相合成法,具体包括如下步骤:

(1)配料:以分析纯的SrCO3、CaCO3、Nb2O5和Na2CO3为原料,按照所述无铅压电陶瓷的组成进行配料;

(2)一次球磨:将各原料均匀混合后放入含有玛瑙珠的球磨罐中,以无水乙醇为介质进行球磨,球磨后进行烘干处理;其中:球磨时间为12个小时,转速为225r/min;烘干处理温度为90℃,烘干至乙醇完全挥发;

(3)预烧:将烘干后的混合料放入Al2O3坩埚中,利用高温烧结炉在1150℃预烧12 h;

(4)二次球磨:将预烧完毕的原料倒入含有玛瑙珠的球磨罐中,重复步骤(2)球磨和烘干过程;

(5)造粒:取出烘干后的样品,添加3mL黏合剂PVA造粒;筛选出粒度80目-140目的样品作为烧结原料;

(6)成型及排胶:对模具施加2MPa的压力,将80~140目的样品压制成1mm的薄片,并将压制薄片中的PVA排除出压片;

(7)烧结:采用多层叠烧的方式,选择合适大小的承烧板,在承烧板底层均匀铺敷氧化锆作为垫料,层间采用造粒后粒度大于80目的粉体作为隔离层,顶层采用与烧结成分粒度一致的粉体防止挥发,烧结温度为1200-1450℃,烧结时间2-4h;

(8)制备电极并极化:采用烧渗法制备电极后进行极化,极化时在150℃条件下,采用4000V/mm直流强电场进行为期25分钟的极化。

2.根据权利要求1所述的制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,其特征在于:x=0.145。

3.根据权利要求1所述的制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,其特征在于:步骤(5)中,所述造粒过程为:在样品中添加黏合剂后,研磨均匀;然后采用粉末压片机在14MPa的压力下将其压制成片,成片厚度为18mm;再放入研钵中粉碎,将粉碎的样品倒入筛子,收集80目-140目的粉末作为即将烧结的原料;收集大于140目的粉末作为烧结时压片之间的保护层。

4.根据权利要求1所述的制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,其特征在于:步骤(6)中,将压制薄片中的PVA排除出压片的过程中,通过升温,使薄片中的PVA吸热汽化,从压片中溢出。

5.根据权利要求1所述的制备钨青铜结构SCNN无铅压电陶瓷的方法,其特征在于:步骤(8)中,采用烧渗法制备电极的过程为:首先去除陶瓷样品表面的粉状保护层,将其表面打磨干净;然后在陶瓷表面刷涂银浆,自然晾干后烧结。

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