[发明专利]一种柔性氧化铪基铁电薄膜的制备方法在审
申请号: | 201711405781.2 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108039408A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 姜杰;周益春;涂楠英;彭强祥 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;H01L21/822 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨唯 |
地址: | 411100 湖南省湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 氧化 铪基铁电 薄膜 制备 方法 | ||
一种制备柔性氧化铪基铁电薄膜的方法包括以下步骤:1)在单晶柔性云母片上采用磁控溅射制备TiN底电极或者采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物SRO底电极;2)采用溶胶凝胶法制备铁电薄膜的前驱体溶液,其中,前驱体溶液的浓度为0.01‑0.05mol/L,铁电薄膜材料选自锆掺杂的氧化铪和钇掺杂的氧化铪中的任意一种;3)氧化铪基铁电薄膜的制备,采用旋涂法在上述SRO或者TiN底电极上旋涂上述前驱体溶液,得到均匀湿膜;4)将上述制得的均匀湿膜进行干燥、热解、退火处理;5)重复步骤3)‑4)若干次即得到目标柔性氧化铪基铁电薄膜。
技术领域
本发明涉及铁电薄膜与器件制备技术领域,具体涉及柔性铁电薄膜的制备方法。
背景技术
随着社会的高速进步和发展,人们对电子产品的需求越来越高,而柔性器件因具有独特的弯曲特性以及方便携带、低成本的制备工艺等特点,因此其在信息、医疗、能源和国防等方面具有广泛的应用前景。近年来,柔性电子器件已代表了新一带半导体发展的一个方向,作为重要的未来半导体一大发展趋势,目前柔性电子器件在国内外得到高度关注。随着传感器、执行器和显示器等一些大面积电子产品的迅速发展,人们对这些设备的要求是越来越薄膜化和轻型化。将这些产品制作在可弯曲的基板是非常有必要的。许多消费电子厂商如三星、索尼、惠普和诺基亚等显示出越来越大的兴趣,相继开发了一系列具有柔性显示屏的电子阅读器、手机、电视和其它消费电子产品。在这些产品中,柔性铁电薄膜存储器是其中必不可少的一部分,它具有存储代码、数据和动/静态信息的能力,因此目前迫切有需要来研究新型的柔性铁电薄膜存储器。
研究柔性铁电薄膜,其重中之重在于基板的选择。目前常用的柔性铁电薄膜的基板有:1)聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),因其具有透光性、可弯曲以及价格低廉等特点而被广泛使用,但因其不具有耐高温的缺点,所以不适合生长传统的需要高温制备的铁电材料,因此,此种基板只局限于生长有机铁电材料。2)超薄柔性玻璃,因为其具有超强的透光性、光滑的表面(0.2-0.3nm)、可弯曲和耐高温(650℃)等优点而被选为制备高温铁电材料的常用基板,但是超薄玻璃低的拉伸强度(33MPa)和昂贵的价格阻碍了其广泛应用。如今,云母片的出现克服了这些缺点,云母片因价格低廉、具有良好的弯曲特性、耐高温(800℃)、超强的透光性、耐酸碱、超低的表面粗糙度(0.2-0.3nm)等优点而崭露头角。
目前,常用的柔性铁电薄膜有柔性有机铁电薄膜其剩余极化小、较大的矫顽场。而剩余极化较大的PZT薄膜是含铅材料,对于传统的钙钛矿薄膜锆钛酸铅(PZT)薄膜来说,铅基材料在生产、使用和废弃处理过程中都会给人类健康和生态环境造成损害。基于铅污染已成为人类公害之一,欧盟、美国和日本都相继颁布法令,禁止或限制使用含铅材料。
因此,亟需寻找一种绿色铁电材料及简单、快捷、成本低廉、制程稳定的制备方法,以便解决以上问题。
发明内容
本发明的目的旨在于克服现有生长柔性铁电薄膜技术和材料的不足,而提供一种在低温条件下、简单、快捷、成本低廉,制备过程稳定且性能良好的氧化铪基铁电薄膜的制备方法。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
制备柔性氧化铪基铁电薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在单晶柔性云母片上采用磁控溅射制备TiN底电极或者采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物SRO底电极;
2)采用溶胶凝胶法制备铁电薄膜的前驱体溶液,其中,前驱体溶液的浓度为0.01-0.05mol/L,铁电薄膜材料选自锆掺杂的氧化铪(以下简称为HZO)和钇掺杂的氧化铪(以下简称为HYO)中的任意一种;
3)氧化铪基铁电薄膜的制备,采用旋涂法在上述SRO或者TiN底电极上旋涂上述前驱体溶液,得到均匀湿膜;
4)将上述制得的均匀湿膜进行干燥、热解、退火处理;
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