[发明专利]快闪存储器的读取控制方法、存储器读取装置和存储器系统

说明书

本申请提供一种快闪存储器的的读取控制方法，其中，所述快闪存储器包括多个存储器单元，所述方法包括：获取多个检测电压值，每个检测电压值等于默认电压和一个偏置电压之和，所述偏置电压均等于单位偏移量的整数倍；分别根据所述多个检测电压值向所述快闪存储器的存储器单元施加多个检测电压，以执行多次数据读取操作；获得多个差异值，所述差异值所述差异值表示相邻两次读取操作的数据变化量；根据所述多个差异值确定最佳检测电压；以及存储所述最佳检测电压，用于之后的快闪存储器的数据读取操作。该读取控制方法能够获取最佳检测电压并基于最佳检测电压进行数据读取操作。同时提供一种存储器读取装置和存储器系统。

技术领域

本发明涉及一种快闪存储器的读取控制方法、存储器读取装置和存储器系统。

背景技术

快闪存储器作为一种非易失性的存储器，广泛应用于记忆卡、固态硬盘以及可携式多媒体播放器(portable multimedia players)等电子设备。

快闪存储器可分为N0R型快闪存储器和NAND型快闪存储器。

相比于N0R型快闪存储器，NAND型快闪存储器具有更好的储存密度和较低的成本，因此其应用更加广泛。在NAND型快闪存储器中，包含多个存储器单元，每个存储器单元由浮动栅极晶体管所构成，一般而言，每个存储器单元能够存储1个比特位的数据，但是随着制造工艺的发展，单一的存储器单元能够存储多于1个比特位的数据。当向浮动栅极晶体管的控制栅极提供一默认电压(default sensing votlage)时，通过浮动栅极晶体管的导通状态确定各个存储器单元所储存的比特位的数据。

然而，对快闪存储器的各种操作例如写入、读取和保存，均可能产生噪音，这些噪音会影响浮动栅极晶体管的浮动栅极内电子的数目，导致浮动栅极晶体管的控制栅极的默认电压的数值发生改变。由于默认电压的改变，通过向控制栅极提供默认电压可能正确地取得快闪存储器内所储存的比特位的数据。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供的快闪存储器的读取控制方法，通过矫正提供给快闪存储器的存储单元的检测电压，以降低整个快闪存储器的数据读取错误机率。

根据本发明的第一方面，提供一种快闪存储器的读取控制方法，其中，所述快闪存储器包括多个存储器单元，每一个所述存储器单元具有至少一个默认电压，所述方法包括：

获取多个检测电压值，每个检测电压值等于默认电压和一个偏置电压之和，所述偏置电压等于单位偏移量的整数倍；

分别根据所述多个检测电压值向所述快闪存储器的存储器单元施加多个检测电压，以执行多次数据读取操作；

获得多个差异值，所述差异值表示相邻两次读取操作的数据变化量；

根据所述多个差异值确定最佳检测电压；

以及

存储所述最佳检测电压，用于之后的快闪存储器的数据读取操作。

优选地，基于默认电压均匀偏置获得所述多个检测电压值。

优选地，所述根据所述多个差异值确定最佳检测电压：

将最小差异值对应的检测电压值作为所述最佳检测电压。

优选地，基于默认电压非均匀偏置获得所述多个检测电压值。

优选地，所述根据所述多个差异值确定最佳检测电压包括：

根据所述多个差异值求取多个平均值；

比较所述多个平均值；以及

在最小平均值对应的检测电压值区间内获得所述最佳检测电压。

优选地，在所述最小平均值对应的检测电压值区间进行全电压扫描以获得所述最佳检测电压。