[发明专利]形成自对准帽的方法和设备

权利要求书

1.一种集成电路结构，包含：

具有上表面的介电层，所述介电层包含硅、氧和碳；以及

所述介电层中的导电结构，所述导电结构包含：

包含铜的第一导电材料，所述第一导电材料具有上表面，其中，所述第一导电材料的上表面的一部分在所述介电层的上表面的一部分的下方；以及

第二导电材料，位于所述第一导电材料的上表面上，所述第二导电材料包含钴，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在所述第一导电材料和所述第二导电材料相连的位置具有相同的宽度，其中所述第二导电材料具有的上表面具有与所述介电层的上表面的所述部分大致共面的部分，以及其中所述第二导电材料的上表面在所述介电层的上表面的所述部分的下方具有弧形角；以及

阻挡层，部分包围所述导电结构，所述阻挡层包含钽。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述阻挡层还包含氮。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含硼。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含磷。

5.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨。

6.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨和磷。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含磷。

8.如权利要求7所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨。

9.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包含：

形成包含硅、氧和碳的介电层；

在所述介电层中形成沟槽；

在所述沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层包含钽；

在所述阻挡层内形成第一导电材料，所述第一导电材料包含铜；

使所述第一导电材料凹进所述介电层的上表面的一部分的下方；以及

在凹进的第一导电材料的上表面上形成第二导电材料，所述第二导电材料包含钴，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在所述第一导电材料和所述第二导电材料相连的位置具有相同的宽度，以及其中所述第二导电材料的上表面在所述介电层的上表面的所述部分的下方具有弧形角。

10.如权利要求9所述的方法，其中使所述第一导电材料凹进在所述介电层的上表面的所述部分的下方包括采用湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述阻挡层还包含氮。

12.如权利要求9所述的方法，其中第二导电材料还包含硼。

13.如权利要求12所述的方法，其中第二导电材料还包含磷。

14.如权利要求12所述的方法，其中第二导电材料还包含钨。

15.如权利要求12所述的方法，其中第二导电材料还包含钨和磷。

16.如权利要求9所述的方法，其中第二导电材料还包含磷。

17.如权利要求16所述的方法，其中第二导电材料还包含钨。