[发明专利]半导体装置以及逆变器系统

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一功率晶体管和第二功率晶体管，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管彼此并联连接；

第一电阻器，所述第一电阻器连接至所述第一功率晶体管的控制端子；以及

第一二极管，所述第一二极管并联连接至所述第一电阻器，其中在所述第一二极管中，朝向所述第一功率晶体管的所述控制端子的方向为正向。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管的第一端子或第二端子被公共地连接，以及

所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管的控制端子通过所述第一电阻器和所述第一二极管被公共地连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二电阻器，所述第二电阻器连接至所述第二功率晶体管的所述控制端子；以及

第二二极管，所述第二二极管并联连接至所述第二电阻器，其中在所述第二二极管中，朝向所述第二功率晶体管的所述控制端子的方向为正向。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管为IGBT元件。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述IGBT元件包括栅极-栅极结构，在所述栅极-栅极结构中，以沟道区插入在第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间来设置所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述IGBT元件包括发射极-栅极-发射极结构，在所述发射极-栅极-发射极结构中，以沟道区和沟槽栅极插入在第一沟槽发射极和第二沟槽发射极之间来设置所述第一沟槽发射极和所述第二沟槽发射极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一安装区，在所述第一安装区上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括在所述半导体芯片上形成的所述第一功率晶体管；以及

第二安装区，在所述第二安装区上安装所述第一电阻器和所述第一二极管，所述第一电阻器和所述第一二极管连接至所述第一功率晶体管，并且用于所述控制端子的控制信号被提供至所述第二安装区。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电阻器为表面安装芯片电阻器。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一安装区，在所述第一安装区上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括形成在所述半导体芯片上的所述第一功率晶体管、所述第一电阻器以及所述第一二极管；以及

第二安装区，所述第二安装区连接至所述第一电阻器和所述第一二极管并且被提供有用于所述控制端子的控制信号。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一安装区，在所述第一安装区上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括形成在所述半导体芯片上的所述第一功率晶体管和所述第一电阻器；

第二安装区，所述第二安装区连接至所述第一电阻器并且被提供有用于所述控制端子的控制信号；以及

第三安装区，所述第三安装区连接至所述第一功率晶体管以及所述第一电阻器并且包括安装在所述第三安装区上的所述第一二极管。

11.一种逆变器系统，包括：

逆变器电路，所述逆变器电路包括串联连接的第一功率晶体管电路和第二功率晶体管电路；以及

驱动电路，所述驱动电路被配置为驱动所述第一功率晶体管电路和所述第二功率晶体管电路，其中

所述第一功率晶体管电路和所述第二功率晶体管电路包括：

并联连接的多个功率晶体管；

分别连接至所述多个功率晶体管的控制端子的多个电阻器；

分别并联连接至所述多个电阻器的多个二极管，其中

在所述二极管中，朝向所述多个功率晶体管的所述控制端子的每一个的方向为正向。