[发明专利]散热方法

说明书

一种散热装置包括：集成电路管芯，具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；管芯堆叠，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上；虚拟半导体特征，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上，所述虚拟半导体特征横向环绕所述管芯堆叠，所述虚拟半导体特征与所述管芯堆叠及所述集成电路管芯电性隔离；第一粘合剂，设置在所述管芯堆叠与所述虚拟半导体特征之间；以及多个传导性连接件，位于所述集成电路管芯的所述第二侧上。

优先权声明及交叉参考

本申请主张在2017年6月30日提出申请的美国临时专利申请第62/527,770号的权利，所述美国临时专利申请的全文并入本文中供参考。

技术领域

本揭露的实施例是有关于一种散热方法。

背景技术

在对集成电路进行封装时，多个半导体管芯可通过结合被堆叠，且可结合到例如中介物(interposer)及封装衬底等的其他封装组件。所得的封装被称为三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit，3DIC)。在三维集成电路中，热量耗散是一项挑战。

在有效地耗散在三维集成电路的内管芯中产生的热量方面，可能存在瓶颈。在典型的三维集成电路中，在内管芯中产生的热量可必须被耗散到外组件后，所述热量才能被传导到散热器。然而，在经堆叠管芯与外组件之间，存在不能有效地传导热量的其他材料，例如底部填充剂、模塑化合物等。因此，热量可能被陷滞在底部经堆叠管芯的内区中，且因此引起尖锐的局部温度峰值(有时被称为热点(hot spot))。此外，因由高功率消耗管芯产生的热量所致的热点可对周围管芯引起热串扰(thermal crosstalk)问题，从而负面地影响周围管芯的性能及整个三维集成电路封装的可靠性。

发明内容

本揭露公开一种散热方法，其特征在于，包括：将管芯堆叠放置在装置晶片的前侧上；在所述装置晶片的背侧上形成传导性连接件；将所述装置晶片单体化以形成集成电路管芯，所述管芯堆叠设置在所述集成电路管芯上；将所述集成电路管芯放置在载体衬底上；将虚拟晶片的前侧结合到所述集成电路管芯，所述管芯堆叠设置在所述虚拟晶片的所述前侧中的凹槽中；从所述载体衬底剥离所述集成电路管芯；以及将所述虚拟晶片单体化以形成虚拟半导体特征，所述虚拟半导体特征横向环绕所述管芯堆叠，所述虚拟半导体特征与所述管芯堆叠及所述集成电路管芯电性隔离。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A及图1B说明装置晶片及集成电路管芯的剖视图。

图2至图12B是根据一些实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图13至图17B是根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图18至图24B是根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图25至图32是根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图33示出根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤。

图34至图37是根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤的各种视图。

图38示出根据一些其他实施例在用于形成装置封装的工艺期间的中间步骤。

附图标号说明

50：集成电路管芯

52：衬底

54：装置