[发明专利]一种氧化硅全包封LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，包括：LED芯片本体、氧化硅层和封装胶；

所述LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极；所述外延层位于所述衬底层的一侧，所述氧化硅层覆盖衬底面，所述衬底面为所述衬底层远离所述外延层一侧的表面；

所述封装胶覆盖所述氧化硅层远离所述衬底层一侧的表面、所述氧化硅层的侧面、所述衬底层的侧面和所述外延层的侧面。

2.根据权利要求1所述的一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，所述氧化硅层还覆盖，所述衬底层的侧面和所述外延层的侧面。

3.根据权利要求1-2任一项所述的一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，所述封装胶的材料为有机硅封装胶。

4.根据权利要求3所述的一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，

所述衬底层，为蓝宝石衬底；

所述外延层，包括：N半导体层、量子阱层和P半导体层；

所述N半导体层，位于所述衬底层远离所述氧化硅层的一侧，所述N半导体层远离所述衬底层一侧的表面包括：量子阱区域和N电极区域；

所述量子阱层，位于所述N半导体层远离所述衬底层的一侧，并覆盖所述量子阱区域；

所述P半导体层，位于所述量子阱层远离所述衬底层的一侧；

所述P电极，位于所述P半导体层远离所述衬底层的一侧，并与所述P半导体层相连接；

所述N电极，位于所述N半导体层远离所述衬底层的一侧，与所述N半导体层相连接并覆盖所述N电极区域。

5.根据权利要求1所述的一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，所述氧化硅层，为厚度大于1000埃的氧化硅薄膜。

6.根据权利要求1-2任一项所述的一种氧化硅全包封LED芯片，其特征在于，所述氧化硅层，为厚度不小于1000埃且不大于2000埃的氧化硅薄膜。

7.一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，其特征在于，用于制备如权利要求1所述的氧化硅全包封LED芯片，包括：采用等离子化学气相沉积法，在所述衬底面上，生长包封所述LED芯片本体的所述氧化硅层。

8.一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，其特征在于，用于制备如权利要求2所述的氧化硅全包封LED芯片，包括：

制备所述衬底层；在所述衬底层上制备所述外延层，在所述外延层上制备所述N电极和所述P电极，切割得到分离的所述LED芯片本体；

制备所述氧化硅层，包括：将所述LED芯片本体，间隔排布在两面具有粘性的第一柔性膜的第一表面，其中：所述衬底层位于所述外延层远离所述第一柔性膜的一侧，所述第一柔性膜的粘性失效温度和形变温度不低于200℃；将粘贴有所述LED芯片本体的所述第一柔性膜的第二表面，粘贴在载板的一侧上，在200℃以下，用等离子增强化学气相沉积法，在所述LED芯片本体上生长所述氧化硅层，得到LED颗粒，所述载板的破裂温度不低于200℃；

封涂封装胶。

9.根据权利要求8所述一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，其特征在于，所述封涂封装胶，包括：

采用翻膜法，将所述LED颗粒转移到第二柔性膜的粘性面上，所述外延层，位于所述衬底层远离所述第二柔性膜的一侧；

将所述LED颗粒转移到第三柔性膜的粘性面上，所述衬底层位于所述外延层远离所述第三柔性膜的一侧；

在所述LED颗粒及所述第三柔性膜上涂覆所述封装胶，并对所述封装胶进行固化处理，待所述封装胶固化后对所述封装胶进行切割，获得芯片级封装结构的所述氧化硅全包封LED芯片。

10.根据权利要求9所述一种制备氧化硅全包封LED芯片的方法，其特征在于，将所述LED颗粒转移到第三柔性膜的粘性面上，进一步为：

根据切割线位置、刀宽、预先设计的所述氧化硅全包封LED芯片的尺寸和间距，设计掩膜版图形并制作掩膜板，所述掩膜版图形包括多个呈阵列排布的芯片图形；

在所述掩膜板具有所述掩膜板图形的一面上固定所述第三柔性膜，所述第三柔性膜的粘性失效温度和形变温度不低于150℃，所述第三柔性膜远离所述掩膜板的一面为粘性面；

利用具有图像识别功能的排片设备，将所述LED颗粒转移到所述第三柔性膜的粘性面上，所述掩膜板上的所述芯片图形与排布的所述LED颗粒的图形位置重合；

分离所述掩膜板和所述第三柔性膜。