[发明专利]一种氧化硅抛光液的制备方法

说明书

本发明公开了一种氧化硅抛光液的制备方法，包括以下步骤：按比例称取纯水1加入容器1内，开启搅拌；按比例称取氧化硅加入容器1中，搅拌10‑20min，使氧化硅充分分散在水中；按比例称取乳化剂，加入容器1内，搅拌20‑30min，使其完全溶解；按比例称取纯水2，取其中八成加热至60‑80℃开启搅拌；按比例称取悬浮剂加入容器2内，搅拌至完全透明；将容器2内溶液加入容器1内，搅拌5‑10min，此时溶液表面显得更为明亮；按比例依次称取硼酸、乙醇胺、三乙醇胺加入容器1内，充分搅拌；按比例称取防腐剂加入容器1内，充分搅拌；按比例称取水溶性消泡剂加入容器1内，充分搅拌。本发明氧化硅抛光液的制备方法工艺简单，经济性好，所制得的产品具有很好的稳定性。

技术领域

本发明涉及抛光液制备技术领域，尤其涉及一种氧化硅抛光液的制备方法。

背景技术

CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。在一定压力及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫作相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面。抛光浆料研究的最终目的是找到化学作用和机械作用的最佳结合，以致能获得去除速率高、平面度好、膜厚均匀性好及选择性高的抛光浆料。此外还要考虑易清洗性、对设备的腐蚀性、废料的处理费用及安全性等问题。因此对抛光磨料比如氧化铝、氧化硅、碳化硅等磨料的配置进行研究有着非常重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺简单，经济性好，且所制得的产品稳定性好的氧化硅抛光液的制备方法。

为解决以上技术问题，本发明提供一种氧化硅抛光液的制备方法，包括以下步骤：

按比例称取纯水1加入容器1内，开启搅拌；

按比例称取氧化硅加入容器1中，搅拌10-20min，使氧化硅充分分散在水中；

按比例称取乳化剂，加入容器1内，搅拌20-30min，使其完全溶解；

按比例称取纯水2，取其中八成加热至60-80℃开启搅拌；

按比例称取悬浮剂加入容器2内，搅拌至完全透明；

将容器2内溶液加入容器1内，搅拌5-10min，此时溶液表面显得更为明亮；

按比例依次称取硼酸、乙醇胺、三乙醇胺加入容器1内，充分搅拌；

按比例称取防腐剂加入容器1内，充分搅拌；

按比例称取水溶性消泡剂加入容器1内，充分搅拌。

优选的，所述氧化硅的粒径在0.5-1.5μm。

优选的，所述的乳化剂为AEO-9(脂肪醇聚氧乙烯醚)、OP-10(聚氧乙烯辛基苯酚醚-10)的一种或混合使用。

优选的，所述悬浮剂为黄原胶。

优选的，所述防腐剂为卡松DL-20。

本发明氧化硅抛光液的制备方法工艺简单，经济性好，所制得的产品具有很好的稳定性。

具体实施方式

下面将结合具体实施例对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

实施例1