[发明专利]一种SPICE集中模型的建模方法及系统

权利要求书

1.一种SPICE集中模型的建模方法，包括如下步骤：

步骤S1，流片测试得到建模的实测数据，所述实测数据包括MOS器件的电学参数，所述电学参数包括饱和电流Idsat、线性电流Idlin、关断电流Idoff、线性阈值电压Vtlin、饱和阈值电压Vtsat或其任意组合；

步骤S2，选择目标MOS器件，且选择目标MOS器件的尺寸时包括两种情况：设定一个具有第一沟道长度的A器件和一个短沟道MOS的B器件，或设定一个具有特定尺寸且为短沟道MOS的C器件，其中，所述A器件的第一沟道长度大于所述B器件的沟道长度且所述A器件和所述B器件的沟道宽度相同；

步骤S3，根据对目标MOS器件的选择设定电学参数目标，所述电学参数目标为所述目标MOS器件的电学参数的目标值；

步骤S4，将目标MOS器件的两种情况分别和所述电学参数目标组合，并对所述目标MOS器件和所述电学参数目标的组合进行建模；

步骤S5，复核所述目标MOS器件的沟道长度为工艺允许的最小值时，所述目标MOS器件具有不同沟道宽度时测试得到的电学参数。

2.如权利要求1所述的一种SPICE集中模型的建模方法，其特征在于：于步骤S3中，设定电学参数目标包括如下几种情况：

只设定饱和电流Idsat的调整目标；

设定线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin和饱和电流Idsat的目标；

设定线性阈值电压Vtlin和饱和电流Idsat的目标。

3.如权利要求2所述的一种SPICE集中模型的建模方法，其特征在于，于步骤S4中，对于设定一个较大尺寸MOS器件和一个短沟道MOS器件的电学参数目标中只设定饱和电流Idsat的调整目标的情况，包括如下步骤

第一步，使用初始阈值电压vth0调整A器件的饱和电流Idsat到目标值；

第二步，调整初始阈值电压长度因子lvth0使B器件的饱和电流Idsat达到目标值；

第三步，观察A器件的饱和电流Idsat是否有改变，如果有，则微调所述初始阈值电压vth0和所述初始阈值电压长度因子lvth0使A、B器件的饱和电流Idsat与目标值完全一致。

4.如权利要求2所述的一种SPICE集中模型的建模方法，其特征在于，对于设定一个较大尺寸MOS器件和一个短沟道MOS器件的电学参数目标中设定线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin和饱和电流Idsat的目标的情况，包括：

第一步，使用初始阈值电压vth0将A器件的线性阈值电压Vtlin调到目标值；

第二步，使用载流子迁移率u0将A器件的线性电流Idlin调到目标值；

第三步，使用饱和速度vsat将A器件的饱和电流Idsat调到目标值；

第四步，综合使用所述初始阈值电压vth0、所述载流子迁移率u0、所述饱和速度vsat三者微调，使A器件的线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin、饱和电流Idsat三个参数都达到目标值；

第五步，使用初始阈值电压长度因子lvth0将B器件的线性阈值电压Vtlin调到目标值；

第六步，使用载流子迁移率长度因子lu0将B器件的线性电流Idlin调到目标值；

第七步，使用饱和速度长度因子lvsat将B器件的饱和电流Idsat调到目标值；

第八步，综合使用所述初始阈值电压长度因子lvth0、所述载流子迁移率长度因子lu0、所述饱和速度长度因子lvsat三者微调，使B器件的线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin、饱和电流Idsat三个参数都达到目标值；

第九步，观察A器件的线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin、饱和电流Idsa是否出现偏移，如果出现偏移，综合利用所述初始阈值电压vth0、所述初始阈值电压长度因子lvth0、所述载流子迁移率u0、所述载流子迁移率长度因子lu0、所述饱和速度vsat、所述饱和速度长度因子lvsat对A、B器件进行微调，最终使A、B器件的线性阈值电压Vtlin、线性电流Idlin、饱和电流Idsat都达到目标值。