[发明专利]光纤的制造工艺

说明书

本发明公开了一种光纤的制造工艺，包括以下步骤：1)将多个光纤盘放入氘处理罐中，将其中一个光纤盘中光纤的穿出氘处理罐；2)检测光纤与步骤1)中的光纤连接；3)抽真空；4)充氮；5)再次抽真空；6)将氘氮混合气体充入，保持处理罐内温度为28℃～32℃，压强为0.02～0.03Mpa；7)36～48小时后，每隔30分钟～60分钟，通过检测设备对光纤进行检测，当被检测的光纤合格时，将氘处理罐内的气体抽出，结束氘处理；当被检测的光纤不合格时，继续进行氘处理。本制造工艺通过将氘处理罐内的光纤穿出，从而能够在线监测，相对于现有技术氘处理完后在进行检测的工艺而言，能够提高氘处理的成功率，提高生产效率，节约成本。

本申请是申请日为2016年03月31日，申请号为201610195958.X，发明名称为“光纤的制造工艺”的分案申请。

技术领域

本发明涉及光纤领域，具体涉及光纤的制造工艺。

背景技术

通过对预制棒进行拉丝、冷却、涂覆以及固化工艺后，得到光纤。当制造光纤时，由于热源或用于制造光纤的原材料中杂质，光纤可能会包含OH基。在高能量辐射中，OH基的含量可能会增加。由于由OH基所引起的光纤的损耗特性，使光纤难以在E波段(1360nm-1460nm)的范围内进行操作。即使当光纤具有少量的OH基，如果将光纤暴露于氢气，则该现象更差。由于氢气而引起的光纤损耗作为时间的函数的增加已知为“氢气时效损耗”，当光纤使用了较长时间时，氢气时效损耗可能会引起严重的问题。

为了解决上述问题，已经提出了将包含在光纤中的OH基置换为OD基的技术。这涉及将光纤暴露于氘气中。由于这样的置换反应是不可逆反应，因此，即使后面将光纤暴露于氢气，在以氘气处理过的光纤中也不会形成OH基。

现有制造工艺中，氘处理分为两个部分，一是将光纤放入氘处理罐，然后进行氘处理；二是对处理好的光纤进行检测，测试氘处理是否合格。现有的这种制造工艺不能在线对光纤进行检测，需要氘处理完后才能进行，这样很难保证氘处理效果，光纤可能存在多充或少充氘的问题。

发明内容

本发明针对上述问题，提出了一种光纤的制造工艺。解决了现有工艺很难保证氘处理效果，光纤可能存在多充或少充氘的问题。

本发明采取的技术方案如下：

一种光纤的制造工艺，包括以下步骤：

1)打开氘处理罐，将多个光纤盘放入氘处理罐中，选定至少一个光纤盘，将光纤盘中光纤的一端穿出氘处理罐的侧壁，且对穿出部位做密封处理；

2)通过光纤连接器将检测光纤的一端与步骤1)穿出氘处理罐的光纤对接，检测光纤的另一端连接检测设备；

3)关闭氘处理罐，对其进行抽真空；

4)将氮气充入氘处理罐内；

5)再次进行抽真空；

6)将氘气与氮气的混合气体充入氘处理罐内，保持处理罐内温度为28℃～32℃，压强为0.02～0.03Mpa；

7)36～48小时后，每隔30分钟～60分钟，通过检测设备对穿出氘处理罐的光纤进行检测，当被检测的光纤合格时，将氘处理罐内的气体抽出，结束氘处理；当被检测的光纤不合格时，继续进行氘处理。

本制造工艺通过将氘处理罐内的光纤穿出，从而能够在线监测，相对于现有技术氘处理完后在进行检测的工艺而言，能够提高氘处理的成功率，提高生产效率，节约成本。

可选的，步骤1)和步骤2)通过氘处理系统进行操作，所述氘处理系统包括：

氘处理罐，侧壁具有供光纤穿过的通孔；

密封机构，用于防止气体通过通孔流入或流出氘处理罐；