[发明专利]SONOS存储器的ONO刻蚀方法

权利要求书

1.一种SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括栅极区、器件区及外围区，所述器件区形成有浅沟槽隔离；

在所述基底整个表面上形成ONO叠层，所述ONO层包括依次层叠的第一氧化层-氮化层-第二氧化层；

在所述第二氧化层上形成阻挡层；

采用干法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的所述阻挡层，暴露出所述第二氧化层；

采用湿法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的第二氧化层，暴露出所述氮化层；以及

采用湿法刻蚀工艺同时去除所述器件区和所述外围区的氮化层以及所述栅极区的所述阻挡层，以暴露出所述浅沟槽隔离。

2.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，在采用干法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的所述阻挡层之前，通过光刻工艺进行光刻胶涂布，所述光刻胶覆盖所述栅极区，暴露出所述器件区和外围区。

4.如权利要求3所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，在采用干法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的所述阻挡层，暴露出所述第二氧化层之后，在采用湿法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的第二氧化层，暴露出所述氮化层之前，还包括：采用原位工艺去除剩余的光刻胶。

5.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度不超过所述氮化层的厚度。

6.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，在采用干法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的所述阻挡层时，所述阻挡层和所述第二氧化层的刻蚀选择比相比为高。

7.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，在采用所述湿法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区所述第二氧化层时，所述第二氧化层和所述氮化层的刻蚀选择比相比为高。

8.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺同时去除器件区和外围区的氮化层以及所述栅极区的所述阻挡层时，所述氮化层和第一氧化层刻蚀选择比相比为高，所述阻挡层所述和所述第一氧化层刻蚀选择比相比为高。

9.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层形成方法采用化学气相淀积。

10.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述器件区和所述外围区的所述阻挡层时，采用到达终点停止方式停在所述第二氧化层上。

11.如权利要求1所述的SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，所述器件区和所述外围区的所述第一氧化层作为所述氮化层刻蚀时的保护层，所述栅极区的所述第二氧化层作为所述阻挡层刻蚀时的保护层。