[发明专利]垂直半导体器件有效

专利信息
申请号: 201711390198.9 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN108231785B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 金光洙;张台锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H10B43/27 分类号: H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 垂直 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种垂直半导体器件,包括:

多个奇数单元块,每个奇数单元块包括在衬底上的多个第一导电线结构,其中所述多个第一导电线结构的每个包括在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上交替地堆叠并且在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸的导电线和绝缘层;

多个偶数单元块,每个偶数单元块包括在所述奇数单元块之间的所述衬底上的多个第二导电线结构,其中所述多个第二导电线结构的每个具有与所述多个第一导电线结构的每个的形状基本相同的形状并在所述第二方向上延伸;

奇数块垫结构,其在所述衬底上连接到所述第一导电线结构的第一边缘部分;以及

偶数块垫结构,其在所述衬底上连接到所述第二导电线结构的第二边缘部分,其中所述第二边缘部分在所述第二方向上分别与所述第一边缘部分相反,

其中所述多个奇数单元块的每个和所述多个偶数单元块的每个在第三方向上具有第一宽度,其中所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面并且基本上垂直于所述第二方向,以及

所述奇数块垫结构和所述偶数块垫结构的每个形成在所述衬底的在所述第三方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度的区域上。

2.根据权利要求1所述的垂直半导体器件,其中所述奇数块垫结构包括:

第一组垫结构,其接触所述第一导电线结构的所述第一边缘部分并在所述第二方向上延伸;

第二组垫结构,其与所述第二导电线的第三边缘部分间隔开,其中所述第三边缘部分与所述第二导电线的所述第二边缘部分相反;以及

第一连接结构,其将所述第一组垫结构与所述第二组垫结构连接。

3.根据权利要求2所述的垂直半导体器件,其中所述第一组垫结构还包括导电图案,其中所述第一组垫结构中的所述导电图案和所述多个奇数单元块中的奇数单元块内的所述导电线是单个结构,以及

其中所述第二组垫结构还包括导电图案,其中所述第二组垫结构中的所述导电图案与所述多个偶数单元块中的偶数单元块内的所述导电线间隔开。

4.根据权利要求1所述的垂直半导体器件,其中所述偶数块垫结构包括:

第三组垫结构,其接触所述第二导电线结构的所述第二边缘部分并在所述第二方向上延伸;

第四组垫结构,其与所述第一导电线结构的第四边缘部分间隔开,其中所述第四边缘部分与所述第一导电线结构的所述第一边缘部分相反;以及

第二连接结构,其将所述第三组垫结构与所述第四组垫结构连接。

5.根据权利要求4所述的垂直半导体器件,其中所述第三组垫结构还包括导电图案,其中所述第三组垫结构中的所述导电图案和所述多个偶数单元块中的偶数单元块内的所述导电线是单个结构,以及

其中所述第四组垫结构还包括导电图案,其中所述第四组垫结构中的所述导电图案与所述多个奇数单元块中的奇数单元块内的所述导电线间隔开。

6.根据权利要求1所述的垂直半导体器件,其中所述奇数块垫结构和所述偶数块垫结构的边缘部分在所述第二方向和所述第三方向的每个上具有台阶。

7.根据权利要求6所述的垂直半导体器件,其中所述奇数块垫结构和所述偶数块垫结构的每个包括多组垫结构,其中所述多组垫结构与所述第一导电线结构和所述第二导电线结构的每个对准并在所述第三方向上彼此间隔开,并且所述多组垫结构的每个在所述第三方向上包括至少两个台阶。

8.根据权利要求6所述的垂直半导体器件,还包括:

接触插塞,其接触所述奇数块垫结构和所述偶数块垫结构中的每个台阶的导电图案;以及

接触所述接触插塞的布线。

9.根据权利要求1所述的垂直半导体器件,还包括包含沟道、电介质层结构和填充绝缘图案的沟道结构,

其中所述沟道结构在所述第一方向上延伸穿过所述奇数单元块和所述偶数单元块。

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