[发明专利]图像传感器和包括其的电子设备有效
申请号: | 201711390137.2 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108257990B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 尹浈斌;李景镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 包括 电子设备 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个像素,多个像素中的每一个像素分别包括光电二极管和传输晶体管,所述传输晶体管被配置为将在所述光电二极管中累积的电荷传输到浮置扩散区;以及
多个传输晶体管线,其分别连接到所述多个像素的传输晶体管的栅电极,
其中所述多个传输晶体管线中的至少两个传输晶体管线被配置为接收具有不同幅度的电压,
其中,包括在所述多个像素中的多个传输晶体管被配置为基于包括在所述多个像素中的每一个光电二极管的满阱容量的电位幅度,通过所述多个传输晶体管线来分别接收具有不同幅度的截止电压,以及
包括在所述多个像素中的多个传输晶体管被配置为基于包括在所述多个像素中的每一个光电二极管的基极电位幅度,通过所述多个传输晶体管线来分别接收具有不同幅度的导通电压。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述多个像素位于公共像素区中,并且所述多个像素具有共享的像素结构,使得所述多个像素的偶数数量的光电二极管共享所述浮置扩散区,以及
所述多个传输晶体管线的数量与包括在共享像素中的光电二极管的数量相对应。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中具有与所述共享像素中的光电二极管的数量相对应的数量的所述多个传输晶体管线被配置为接收具有不同幅度的电压。
4.如权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述多个传输晶体管线中的至少两个传输晶体管线在第一方向上延伸并从与彼此的直接接触隔离,以及
所述至少两个传输晶体管线被配置为接收具有不同幅度的电压。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述多个像素包括像素区中的至少一个像素组,所述至少一个像素组中的每一个像素组包括所述多个像素中的四个像素,
包括在所述至少一个像素组中的一个像素组中的四个像素分别与一个红色通道、一个蓝色通道、和两个绿色通道相对应,以及
所述一个像素组包括多个传输晶体管线,所述多个传输晶体管线具有与所述一个像素组中包括的光电二极管的数量相对应的数量,并且被配置为根据通道来接收不同幅度的电压。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中每一个传输晶体管线被配置为接收电压,所述电压是被配置为接收所述电压的所述传输晶体管的导通电压和截止电压中的至少一个电压。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中,
包括在所述多个像素中的多个传输晶体管包括与具有第一满阱容量电位幅度的光电二极管相对应的第一组晶体管和与具有第二满阱容量电位幅度的光电二极管相对应的单独的第二组晶体管,所述第二满阱容量电位幅度大于所述第一满阱容量电位幅度,所述第一组晶体管被配置为接收第一截止电压,以及所述第二组晶体管被配置为接收第二截止电压,所述第二截止电压具有大于所述第一截止电压的幅度的幅度,以及
包括在所述多个像素中的多个传输晶体管包括与具有第一基极电位幅度的光电二极管相对应的第三组晶体管和与具有第二基极电位幅度的光电二极管相对应的单独的第四组晶体管,所述第二基极电位幅度大于所述第一基极电位幅度,所述第三组晶体管被配置为接收第一导通电压,以及所述第四组晶体管被配置为接收第二导通电压,并且第一导通电压具有大于所述第二导通电压的幅度的幅度。
8.如权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:
连接控制器,其被配置为连接所述多个传输晶体管线和主电源线,
其中所述主电源线被配置为供应具有不同幅度的至少两个电压或具有一个幅度的电压两者之一,
其中所述连接控制器包括开关器件或可变电阻器,并且所述连接控制器被配置为将具有不同幅度的电压供应到所述多个传输晶体管线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的