[发明专利]一种利用振荡压力烧结法制备氮化硅陶瓷的工艺在审
申请号: | 201711389983.2 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN107954724A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 易剑;陈海彬;孙振忠 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/645 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 肖平安 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 振荡 压力 烧结 法制 氮化 陶瓷 工艺 | ||
1.一种利用振荡压力烧结法制备氮化硅陶瓷的工艺,其特征在于,包括有以下工艺步骤,具体的:
a、将氮化硅混合粉体装入至烧结炉内的石墨模具内,石墨模具通过填装孔填装氮化硅混合粉体,石墨模具的填装孔为圆形孔且填装孔的内径值为30mm;其中,氮化硅混合粉体包括有以下重量份的物料:氮化硅粉体85%-90%、烧结助剂10%-15%,烧结助剂包括有氧化铝粉体、氧化钇粉体;
b、待氮化硅混合粉体填装完毕后,关闭烧结炉的炉盖,而后通过真空泵先对烧结炉的内腔进行抽真空处理,抽真空完毕后往烧结炉的内腔充入保护气体;
c、通过压头对氮化硅混合粉体施加为恒定压力的预压力,预压力的压力值为30MPa,同时启动烧结炉的加热装置进行加热,缓慢升温且升温速率100℃/h;
d、当烧结炉内腔的温度值达到1780℃时,在保持压头对氮化硅混合粉体的压力为30MPa的情况下,对压头施加振荡压力,该振荡压力与上述30MPa耦合并共同作用于氮化硅混合粉体,耦合后的振荡压力变化范围为27.5MPa-32.5MPa;在施加振荡压力的过程中,进行保温且保温时间为60min;
e、待保温结束后,烧结炉内腔开始以200℃/min的降温速率进行降温,直至降温到900℃,同时缓慢卸去压头对氮化硅陶瓷的压力;
f、当烧结炉的内腔降温至900℃时,将氮化硅陶瓷保持与烧结炉的内腔并随炉自然冷却到室温。
2.根据权利要求1所述的一种利用振荡压力烧结法制备氮化硅陶瓷的工艺,其特征在于:所述保护气体为高纯氮气。
3.根据权利要求1所述的一种利用振荡压力烧结法制备氮化硅陶瓷的工艺,其特征在于:所述氮化硅混合粉体包括有以下重量份的物料:氮化硅粉体86.19%、氧化铝粉体3.07%、氧化钇粉体8.34%。
4.根据权利要求1所述的一种利用振荡压力烧结法制备氮化硅陶瓷的工艺,其特征在于:于所述氮化硅混合粉体中,所述氮化硅粉体的平均粒径为2.0μm。
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