[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置有第一钝化层；

所述第一钝化层中设置有一暴露出所述衬底的凹槽，所述凹槽中填充有锗层；

金属硅化物层，设置在所述锗层上方；

第二钝化层，设置在所述金属硅化物层上；

接触孔，设置在所述金属硅化物层上方的第二钝化层及部分所述金属硅化物层中，所述接触孔的下表面高于所述锗层的上表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层为钨化硅、镍化硅、钛化硅、钴化硅中的一种或多种的组合。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述接触孔及所述第二钝化层上方具有粘合层。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述接触孔处的所述粘合层上方设置有金属层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度大于

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成第一钝化层；

刻蚀述第一钝化层至露出所述衬底以形成凹槽，在所述凹槽内形成锗层；

在所述凹槽内、所述锗层上方形成金属硅化物层；

在所述金属硅化物层上方沉积第二钝化层；

刻蚀所述金属硅化物层上方的第二钝化层及部分金属硅化物层形成接触孔，所述接触孔的下表面高于所述锗层的上表面。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述凹槽内、所述锗层上方形成金属硅化物层包含：

在所述凹槽内、所述锗层上方形成硅层；

形成过渡金属，实施退火，使所述硅层与过渡金属发生化学反应得到金属硅化物层。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀述第一钝化层至露出所述衬底形成凹槽后，采用选择性生长工艺形成锗层。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅层采用原位生长工艺形成。

10.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度大于

11.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述接触孔及所述第二钝化层上方形成粘合层。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述粘合层上方沉积初始金属层，对所述初始金属层进行化学机械研磨，去除高于所述接触孔高度部分的初始金属层，形成金属层。