[发明专利]TiN硬掩模和蚀刻残留物去除

权利要求书

1.一种组合物，用于从包含PVD氮化钛和选自由Cu、Co、CVD氮化钛、介电材料和它们的组合组成的组的第二材料的半导体器件选择性地去除PVD氮化钛，所述PVD氮化钛具有式TiN或TiN_xO_y，其中x=0-1.3且y=0-2，所述组合物包含：

1-20 wt%过氧化物，

1-5 wt%碱，

0.1-1 wt%弱酸，

0.5-2 wt%铵盐，

25-5000 ppm腐蚀抑制剂或1-15 wt%长链或混合的烷基氢氧化铵，及其组合，和

溶剂；

其中所述组合物的pH范围为7-11.5。

2.如权利要求1所述的组合物，其中所述过氧化物选自由过氧化氢、过硫酸铵、过酸类酸、过氧苯甲酸以及它们的组合组成的组。

3.如权利要求1所述的组合物，其中所述碱选自由四乙基氢氧化铵（TEAH）、三甲基苯基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、胆碱氢氧化物、氢氧化铵以及它们的组合组成的组。

4.如权利要求1所述的组合物，其中所述弱酸是选自由柠檬酸、草酸、丙二酸、乳酸、己二酸、乙酸、亚氨基二乙酸以及它们的组合组成的组的羧酸。

5.如权利要求1所述的组合物，其中所述铵盐选自由柠檬酸铵、乙酸铵、丙二酸铵、己二酸铵、乳酸铵、亚氨基二乙酸铵、氯化铵、溴化铵、氟化铵、氟化氢铵、硫酸铵以及它们的组合组成的组。

6.如权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自由1,2,4-三唑、苯并三唑、甲基-1H-苯并三唑、2-氨基苯并噻唑、苯并咪唑、2-巯基-5-甲基苯并咪唑、8-羟基喹啉、1-硫代甘油、抗坏血酸、吡唑以及它们的组合组成的组。

7.如权利要求1所述的组合物，其中所述长链或混合的烷基氢氧化铵选自由三甲基苯基氢氧化铵（TMPAH）、四丁基氢氧化铵和混合的四烷基氢氧化铵组成的组，其中所述烷基氢氧化铵的烷基铵阳离子含有具有至少两个不同的链长度的烷基。

8.如权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂选自由去离子水（DI水）、纯化水、蒸馏水、二甲亚砜（DMSO）、二甲基砜（DMSO₂）、环丁砜（(CH₂)₄SO₂）、N-甲基吡咯烷酮、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚以及它们的组合组成的组。

9.如权利要求1所述的组合物，其进一步含有选自以下的至少一种：

0.01-1 wt%的选自由甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、谷氨酸、吡啶甲酸、乙二胺四乙酸（EDTA）以及它们的组合组成的组的螯合剂；

100 ppm-1000 ppm的选自由甘露醇、多烷基胺、(2,2,6,6-四甲基哌啶-1-基)氧化物（TEMPO）、二苯胺以及它们的组合组成的组的自由基清除剂；和

10-5000 ppm的长链有机酸或胺。

10.如权利要求9所述的组合物，其中所述长链有机酸或胺选自由癸酸、十二烷酸、二聚酸、己胺、己胺的表面活性剂盐、辛胺、辛胺的表面活性剂盐、二环己胺、二环己胺的表面活性剂盐、癸胺、癸胺的表面活性剂盐、十二烷基胺、十二烷基胺的表面活性剂盐以及它们的组合组成的组。

11.如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含过氧化氢、四乙基氢氧化铵、柠檬酸、柠檬酸铵、甲基-1H-苯并三唑和水。

12.如权利要求11所述的组合物，其中所述组合物进一步包含乙二胺四乙酸（EDTA）。

13.如权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含过氧化氢、四乙基氢氧化铵、柠檬酸、柠檬酸铵、三甲基苯基氢氧化铵（TMPAH）和水。