[发明专利]一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法

权利要求书

1.一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料，其特征在于，所述Ge-Te-Al-As阈值开关材料的化学通式为(Ge_xTe_100-x)_100-z(Al_100-yAs_y)_z，其中x、y、z均指元素的原子百分比，且满足10≤x≤30，50≤y≤90，0z≤30。

2.一种阈值开关器件单元，其特征在于，所述阈值开关器件单元自下而上依次包括下电极层、设置于所述电极层上的第一过渡层、设置于所述第一过渡层上的阈值开关材料层、设置于所述阈值开关材料层上的第二过渡层、设置于所述第二过渡层上的上电极层以及设置于所述上电极层上的引出电极，其中，所述阈值开关材料层包括如权利要求1所述的Ge-Te-Al-As阈值开关材料。

3.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述下电极层的材料包括W、Pt、Au、TiN、Ti、Al、Ag、Cu或者Ni中的一种或两种以上所组成的材料。

4.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述第一过渡层包括C、SiC、Ti、TiN中的一种。

5.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述第二过渡层包括C、SiC、Ti、TiN中的一种。

6.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述上电极层的材料包括W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或者Ni中的一种或两种以上所组成的材料。

7.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述引出电极的材料包括W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或者Ni中的一种或两种以上所组成的材料。

8.一种阈值开关器件单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1)形成下电极层；

2)在所述下电极层上形成第一过渡层；

3)在所述第一过渡层上形成阈值开关材料层，所述阈值开关材料层包括如权利要求1所述的Ge-Te-Al-As阈值开关材料；

4)在所述阈值开关材料层上形成第二过渡层；

5)在所述第二过渡层上形成上电极层；

6)在所述上电极层上形成引出电极。

9.根据权利要求8所述的阈值开关器件单元的制备方法，其特征在于：采用溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法制备所述下电极层、所述第一过渡层、所述阈值开关材料层、所述第二过渡层、所述上电极层及所述引出电极。