[发明专利]一种低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)选取硅片：采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底；

2)激光打孔：在衬底上激光开孔洞(2)，孔洞(2)为M×N的阵列,M和N均为正整数；

3)制绒：使用常规化学清洗和织构化方法进行制绒；

4)扩散：使用POCl₃扩散源进行高温单面扩散；

5)掩膜：分别在硅片背表面以步骤2)所开的各孔洞(2)为圆心，制备直径为0.1-10mm的圆形有机掩膜；

6)刻蚀：使用化学溶液进行刻蚀，去除周边及背面PN结，清洗有机掩膜，去除扩散后硅衬底表面的磷硅玻璃；

7)镀膜：使用PECVD制备氮化硅减反膜；

8)背面电极制备：采用丝网印刷的方法印刷MWT硅太阳能电池正负极点；

9)铝背场印刷：采用丝网印刷的方法印刷制备铝背场；

10)正面电极制备：采用丝网印刷的方法印刷MWT硅太阳能电池正面电极(1)，正面电极(1)分两次印刷，第一次印刷采用常规银浆，通过丝网印刷方式印刷MWT硅太阳能电池部分正面电极(1)栅线；第二次印刷将第一次印刷后的硅衬底顺时针旋转90°后，采用常规银浆，通过丝网印刷方式印刷MWT硅太阳能电池剩余部分正面电极(1)栅线；两次印刷后形成完整的MWT硅太阳能电池正面电极(1)图案，收集并导出载流子；

11)烧结：在链式炉中进行烘干和烧结。

2.根据权利要求1所述的低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中孔洞(2)形状为圆形、方形或锥形。

3.根据权利要求1所述的低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤5)中掩膜制备方法为丝网印刷或喷墨打印法。

4.根据权利要求1所述的低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤10)中第一次印刷和第二次印刷的栅线均包括主栅(3)和副栅(4)。