[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有多个分立的支撑结构，所述支撑结构包括：位于所述基底表面的第一鳍部；

在所述基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第一鳍部侧壁，且所述第一隔离层表面低于所述第一鳍部顶部表面；

在所述第一隔离层暴露出的第一鳍部侧壁表面形成第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一隔离层上；

形成所述第二鳍部之后，去除部分或全部第一鳍部形成开口，所述开口底部表面低于所述第二鳍部底部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支撑结构还包括：位于所述第一鳍部上的掩膜层；

形成第一隔离层之后，去除部分或全部第一鳍部之前，所述形成方法还包括：去除所述掩膜层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底和支撑结构的步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底上形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述初始基底进行刻蚀，形成基底和位于所述基底上的第一鳍部。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的步骤包括：在所述初始基底上形成初始掩膜层；在所述初始掩膜层上形成图形化的图形层，以所述图形层为掩膜对所述初始掩膜层和初始基底进行刻蚀，形成基底、位于所述基底上的第一鳍部以及位于所述第一鳍部上的掩膜层；

形成所述图形层的步骤包括：在所述初始掩膜层上形成多个分立的核心层；在所述核心层侧壁表面形成图形层；形成所述图形层之后，去除所述核心层。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为10nm～60nm；所述第一鳍部的高度为10nm～70nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部的材料为硅、锗、硅锗或碳化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二鳍部的工艺包括化学气相沉积外延工艺或固相外延工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二鳍部之后，还包括：在所述第二鳍部上形成保护层，所述保护层的材料与所述第一鳍部的材料不相同，且所述保护层的材料与所述第二鳍部的材料不相同；

去除部分或全部第一鳍部之后，还包括：去除所述保护层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为无定型碳、氮化硅或氧化硅。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部顶部表面低于所述支撑结构顶部表面；形成所述保护层的步骤包括：在所述第二鳍部和所述支撑结构顶部形成初始保护层；对所述初始保护层进行平坦化处理，直至暴露出所述支撑结构顶部表面。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的步骤包括：化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺；去除所述保护层的工艺包括干法刻蚀工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述开口中形成第二隔离层，所述第二隔离层顶部表面低于所述第二鳍部顶部表面。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的材料为氧化硅或低k介质材料。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的厚度为2nm～5nm。