[发明专利]垂直型双色LED芯片的制备方法及芯片

权利要求书

1.一种垂直型双色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

(a)制作衬底；

(b)在所述衬底上制备蓝光材料；

(c)在所述衬底上制备绿光灯芯槽并在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料；

(d)在所述蓝光材料、所述绿光材料上制备键合层；

(e)去除所述衬底并制备上电极；

(f)在所述键合层底部制备下电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或者SiC衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：依次在所述衬底上生长蓝光GaN缓冲层、蓝光GaN稳定层、蓝光n型GaN层、蓝光InGaN/GaN多量子阱结构、蓝光p型AlGaN阻挡层、蓝光p型GaN层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c1)在所述蓝光材料上生长第一氧化层；

(c2)采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第一氧化层形成绿光灯芯窗口；

(c3)采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述绿光灯芯窗口内材料直到所述衬底形成绿光灯芯凹槽；

(c4)去掉所述第一氧化层并淀积第二氧化层；

(c5)刻蚀所述第二氧化层形成绿光灯芯槽；

(c6)在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)包括：

(d1)在所述蓝光材料、所述绿光材料上表面上制备电极层；

(d2)在所述电极层上制备第一金属层；

(d3)选取金属板材并在所述金属板材上制备第二金属层；

(d4)将所述第一金属层与所述第二金属层进行键合形成键合层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层材料相同。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为300nm-1500nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为500nm-2500nm。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：

(e1)用准分子激光器去除所述衬底；

(e2)在所述蓝光GaN缓冲层上制备上电极。

10.一种垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述垂直型双色LED芯片由权利要求1～9任一项的制备方法制备形成。