[发明专利]基于GaN材料的垂直结构LED芯片及LED灯

权利要求书

1.一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括SiO2隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间。

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述公共正电极组件包括：

第一金属接触层，设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上表面；

反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；

第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；

导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述蓝光发光组件依次包括：

第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)及第一p型GaN层(106)。

5.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述红光发光组件依次包括：

第二GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)及p型GaAs接触层(406)。

6.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述公共正电极组件依次包括第一金属连接层(801)、反光金属层(802)、第二金属连接层(803)及所述导电衬底层(804)，其中，所述第一金属连接层(801)设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上。

7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述反光金属层(802)的厚度为800nm。

8.一种LED灯，包括灯罩，散热装置及多个LED灯珠，其特征在于，所述LED灯珠包括如权利要求1～7任一项所述的芯片。