[发明专利]基于横向排布的四色LED制备方法

权利要求书

1.一种基于横向排布的四色LED制备方法，其特征在于，包括：

选取蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底上制备蓝光材料；

刻蚀所述蓝光材料分别形成黄光灯芯槽、绿光灯芯槽以及红光灯芯槽；

在所述黄光灯芯槽中制备黄光材料，在所述绿光灯芯槽中制备绿光材料以及在所述红光灯芯槽中制备红光材料；

在所述蓝光材料中制备蓝光隔离槽；

制备金属电极，以完成所述基于横向排布的四色LED的制备；

在所述蓝宝石衬底上制备蓝光材料，包括：在所述蓝宝石衬底上依次生长第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一多量子阱层、第一AlGaN阻挡层以及第一p型GaN层以完成所述多量子阱蓝光材料的制备；其中，所述第一多量子阱层为第一GaN势垒层和第一InGaN量子阱层依次周期性层叠分布；

刻蚀所述蓝光材料分别形成黄光灯芯槽、绿光灯芯槽以及红光灯芯槽，包括：利用PECVD工艺在所述第一p型GaN表面淀积第一氧化层；利用湿法刻蚀工艺在所述第一氧化层上分别刻蚀黄光矩形窗口、绿光矩形窗口以及红光矩形窗口；利用干法刻蚀工艺刻蚀所述黄光矩形窗口、所述绿光矩形窗口以及所述红光矩形窗口下的材料，一直刻蚀到所述第一GaN缓冲层，且不完全将所述第一GaN缓冲层刻蚀掉，对应形成所述黄光灯芯槽、所述绿光灯芯槽以及所述红光灯芯槽；

在所述黄光灯芯槽中制备黄光材料，包括：在所述黄光灯芯槽中依次生长第二GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二n型GaN层、第二多量子阱层、第二AlGaN阻挡层以及第二p型GaN层以完成所述多量子阱黄光材料的制备；其中，所述第二多量子阱层为第二GaN势垒层和第二nGaN量子阱层依次周期性层叠分布；

在所述绿光灯芯槽中制备绿光材料，包括：在所述绿光灯芯槽中依次生长第三GaN缓冲层、第三GaN稳定层、第三n型GaN层、第三多量子阱层、第三AlGaN阻挡层以及第三p型GaN层以完成所述多量子阱绿光材料的制备；其中，所述第三多量子阱层为第三GaN势垒层和第三nGaN量子阱层依次周期性层叠分布；

在所述红光灯芯槽中制备红光材料，包括：在所述红光灯芯槽中依次生长第四GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、第四多量子阱层、p型A1GaInP阻挡层以及p型GaAs层以完成所述多量子阱绿光材料的制备；其中，所述第四多量子阱层为GalnP势垒层和A1GaInP量子阱层依次周期性层叠分布；

制备金属电极，包括：利用刻蚀工艺刻蚀所述蓝光材料的第一p型GaN层、第一AlGaN阻挡层、第一多量子阱层和第一n型GaN层，直至刻蚀到第一GaN稳定层；在所述第一GaN稳定层表面制备整个器件的负电极；在所述第一p型GaN层表面制备蓝光材料的正电极；在所述第二p型GaN层表面制备黄光材料的正电极；在所述第三p型GaN层表面制备绿光材料的正电极；在所述p型GaAs层表面制备红光材料的正电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述蓝光材料分别形成黄光灯芯槽、绿光灯芯槽以及红光灯芯槽之后，还包括：

去掉器件表面的所述第一氧化层；

在整个器件上表面淀积第二氧化层；

利用干法刻蚀工艺刻蚀所述第二氧化层，分别在所述黄光灯芯槽、所述绿光灯芯槽以及所述红光灯芯槽四周形成氧化隔离层。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述蓝光材料中制备蓝光隔离槽，包括：

利用PECVD工艺在整个器件表面淀积第三氧化层；

利用湿法刻蚀工艺在所述第三氧化层上制备矩形边框窗口；

利用干法刻蚀工艺刻蚀矩形边框窗口下的材料形成所述蓝光隔离槽。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述蓝光材料中制备蓝光隔离槽之后，还包括：

在所述蓝光隔离槽内填充第四氧化层；

利用化学机械抛光工艺去除整个器件表面的所述第四氧化层，形成蓝光隔离。