[发明专利]有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：

第一电极；

设置在所述第一电极上的有机发光层，所述有机发光层包括多条凸形曲线和多条凹形曲线中的至少一种曲线，其中，所述有机发光层的上部区域的斜面相对于将所述多条凸形曲线的高度分成两半的水平线的斜率大于所述有机发光层的下部区域的斜面的斜率；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上，

其中，所述有机发光层在所述多条凸形曲线的斜面处的厚度小于所述有机发光层在所述多条凹形曲线的斜面处的厚度。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极具有依据所述有机发光层的形态的形状。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的纵横比为0.3至0.5。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的直径为1μm至5μm，其中，所述有机发光层的所述凸形曲线的直径是两条相邻的凸形曲线的中心之间的距离，并且所述有机发光层的所述凹形曲线的直径是两条相邻的凹形曲线的中心之间的距离。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰全宽为0.975μm至1.5μm，其中，所述半峰全宽是所述凸形曲线在该凸形曲线的高度的一半处的宽度或者是所述凹形曲线在该凹形曲线的高度的一半处的宽度。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰全宽纵横比为0.4至0.75。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的半峰纵横比与纵横比之比为1.2或更大，其中，所述半峰纵横比与纵横比之比是所述半峰全宽纵横比与所述纵横比之间的比。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述多条凸形曲线或所述多条凹形曲线的最大斜率为20度至60度。

9.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：

基板，所述基板被分成发光区和非发光区；

涂覆层，所述涂覆层设置在所述基板上并且在所述发光区中包括多个峰值部分或多个凹入部分，其中，所述多个峰值部分的斜面的斜率大于所述多个凹入部分的斜面的斜率；

第一电极，所述第一电极设置在所述涂覆层上；

有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一电极上；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述有机发光层上，

其中，所述有机发光层的与所述多个峰值部分的斜面相对应的区域的厚度小于所述有机发光层的与所述多个凹入部分的斜面相对应的区域的厚度。

10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，所述多个峰值部分或所述多个凹入部分的纵横比为0.3至0.5。

11.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，所述多个峰值部分或所述多个凹入部分的高度为0.6μm至1.3μm，其中，所述高度是从所述凹入部分的底部到所述峰值部分的顶部的垂直长度。

12.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，所述多个峰值部分或所述多个凹入部分的直径为1μm至5μm，其中，所述直径是两个相邻的峰值部分的中心之间的距离或者两个相邻的凹入部分之间的距离。

13.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，所述多个峰值部分或所述多个凹入部分的半峰全宽为0.975μm至1.5μm，其中，所述半峰全宽是所述峰值部分在高度的一半处的宽度或所述凹入部分在高度的一半处的宽度。