[发明专利]基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片

权利要求书

1.一种基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片(10)，其特征在于，包括：导电衬底(11)、反光层(12)、蓝光外延层(13)、黄光外延层(14)、隔离层(15)、电极(16)及钝化层(17)；其中，

所述反光层(12)设置于所述导电衬底(11)上；

所述蓝光外延层(13)、所述黄光外延层(14)及所述隔离层(15)均设置于所述反光层(12)上且所述隔离层(15)位于所述蓝光外延层(13)与所述黄光外延层(14)之间；

所述电极(16)分别设置于所述蓝光外延层(13)与所述黄光外延层(14)上；

所述钝化层(17)覆盖于所述蓝光外延层(13)、所述黄光外延层(14)及所述隔离层(15)上。

2.根据权利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述导电衬底(11)为导电Si片、铝板或者铜板。

3.根据权利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述反光层(12)材料为Ni、Pb、Ni/Pb合金或者Al。

4.根据权利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述蓝光外延层(13)包括：第一GaN缓冲层(131)、第一GaN稳定层(132)、第一n型GaN层(133)、第一有源层(134)、第一AlGaN阻挡层(135)及第一p型GaN层(136)；其中，

所述第一p型GaN层(136)、所述第一AlGaN阻挡层(135)、所述第一有源层(134)、所述第一n型GaN层(133)、所述第一GaN稳定层(132)及所述第一GaN缓冲层(131)依次层叠于所述反光层(12)上表面第一指定区域。

5.根据权利要求4所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第一有源层(134)为由第一InGaN量子阱(1341)和第一GaN势垒(1342)形成的第一多重结构；其中，所述第一InGaN量子阱中In含量为10～20％。

6.根据权利要求5所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第一多重结构中所述InGaN量子阱(1341)与所述第一GaN势垒(1342)交替层叠的周期为8～30。

7.根据权利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述黄光外延层(14)包括：第二GaN缓冲层(141)、第二GaN稳定层(142)、第二n型GaN层(143)、第二有源层(144)、第二AlGaN阻挡层(145)及第二p型GaN层(146)；其中，

所述第二p型GaN层(146)、所述第二AlGaN阻挡层(135)、所述第二有源层(144)、所述第二n型GaN层(143)、所述第二GaN稳定层(142)及所述第二GaN缓冲层(141)依次层叠于所述反光层(12)上表面第二指定区域。

8.根据权利要求7所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第二有源层(144)为由第二InGaN量子阱(1441)和第二GaN势垒(1442)形成的第二多重结构；其中，所述第二InGaN量子阱中In含量为20～30％。

9.根据权利要求8所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述第二多重结构中所述第二InGaN量子阱(1441)和第二GaN势垒(1442)交替层叠的周期为8～30。

10.根据权利要求1所述的LED芯片(10)，其特征在于，所述钝化层(17)材料为二氧化硅。