[发明专利]基于GaN材料的LED芯片及LED灯在审
| 申请号： | 201711382332.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108133994A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 荧光粉 红光材料 蓝光材料 色温调节 集成度 单芯片 生长 灵活 | ||
1.一种基于GaN材料的LED芯片，其特征在于，包括：
衬底(11)；
至少一个蓝光材料和至少一个红光材料，均生长在所述衬底(11)上。
2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括隔离壁，设置于所述蓝光材料和红光材料之间，用于隔离所述蓝光材料和红光材料。
3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，还包括电极，设置于所述蓝光材料和所述红光材料上。
4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述蓝光材料依次包括第一GaN缓冲层(101)、GaN稳定层(102)、n型GaN层(103)、InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、p型AlGaN阻挡层(105)及p型GaN层(106)，其中，GaN缓冲层(101)设置于所述衬底(11)上。
5.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱有源层(104)包括多个GaN势垒层(104a)和多个InGaN量子阱层(104b)，其中，所述GaN势垒层(104a)和所述InGaN量子阱层(104b)交替排布。
6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，每个所述GaN势垒层(104a)厚度为5～10纳米。
7.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述红光材料依次包括第二GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)及p型GaAs接触层(406)。
8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)包括多个GaN势垒层(404a)和多个A1GaInP势垒层(404b)，其中，所述GaN势垒层(404a)和所述A1GaInP势垒层(404b)交替排布。
9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，每个所述A1GaInP势垒层(404b)厚度为5-10纳米。
10.一种LED灯，包括LED支架，其特征在于，还包括如权利要求1～9任一项所述的LED芯片，所述LED芯片装载于所述LED支架上。
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