[发明专利]一种电池供电系统深度休眠控制装置及方法有效

专利信息
申请号: 201711379871.9 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN107942821B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 吴水源;彭颖;刘宇;张明宇 申请(专利权)人: 武汉瑞纳捷电子技术有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 赵勍毅
地址: 430073 湖北省武汉市东湖新技*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电池 供电系统 深度 休眠 控制 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有源卡通信系统的低功耗控制装置,尤其涉及一种电池供电系统深度休眠控制装置及方法。

背景技术

随着内置锂电池的双界面有源卡(RFID卡、CPC卡等)的拓展使用,其内置电池的使用效率成为该类卡生产以及生命周期的技术瓶颈。出于安全性和密封性的考虑,该类卡一般采用超声封胶措施,无法更换电池,因此对该类卡的内置电池有效使用管理,能够延长卡片生命周期的问题显得尤为重要,但是此类卡在使用过程中存在长时间不使用的空闲期,而针对该空闲期无法实现低电流或无电流消耗,不能满足市场需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足,提供一种电池供电系统深度休眠控制装置及方法,使得系统在长时间不工作时进入深度休眠状态,从而降低电能消耗、延长系统工作时间。

为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案。

一种电池供电系统深度休眠控制装置,其包括有射频读头、射频芯片、第一升压开关电路、主控芯片和第二升压开关电路,其中:所述射频读头用于向射频芯片辐射场强信号,以及写入或擦除射频芯片的EEPROM中的上掉电标志位;所述第一升压开关电路的输入端连接于电池,所述第一升压开关电路的输出端连接于主控芯片的电源端,所述第一升压开关电路的控制端连接于所述射频芯片和主控芯片;所述第二升压开关电路的输入端连接于第一升压开关电路的输出端,所述第二升压开关电路的输出端连接于射频芯片的电源端,所述第二升压开关电路的控制端连接于主控芯片,所述主控芯片的数据端与射频芯片的数据端相连接;所述射频芯片用于接收场强信号并控制第一升压开关电路导通,使得主控芯片上电,所述主控芯片用于:在上电后向第一升压开关电路发送电信号,以令所述第一升压开关电路保持导通;当所述射频读头停止向射频芯片辐射场强信号时,所述主控芯片控制第二升压开关电路导通,并在射频芯片上电后,读取所述射频芯片的EEPROM中的上掉电标志位;对上掉电标志位进行判断,若上掉电标志位置起,则所述主控芯片控制第一升压开关电路保持导通并将第二升压开关电路关断,若上掉电标志位未置起,则控制第一升压开关电路关断,该主控芯片掉电而进入深度休眠状态。

优选地,所述射频读头为13.56MHz射频读头。

优选地,所述射频芯片与第一升压开关电路之间设有第一二极管,所述第一二极管的阳极连接于射频芯片,所述第一二极管的阴极连接于第一升压开关电路的控制端。

优选地,所述主控芯片与第一升压开关电路之间设有第二二极管,所述第二二极管的阳极连接于主控芯片,所述第二二极管的阴极连接于第一升压开关电路的控制端。

优选地,所述主控芯片为单片机。

优选地,所述射频芯片为双界面芯片。

一种电池供电系统深度休眠控制方法,该方法基于一装置实现,所述装置包括有射频读头、射频芯片、第一升压开关电路、主控芯片和第二升压开关电路,所述第一升压开关电路的输入端连接于电池,所述第一升压开关电路的输出端连接于主控芯片的电源端,所述第一升压开关电路的控制端连接于所述射频芯片,所述第二升压开关电路的输入端连接于第一升压开关电路的输出端,所述第二升压开关电路的输出端连接于射频芯片的电源端,所述第二升压开关电路的控制端和第一升压开关电路的控制端分别连接于主控芯片,所述主控芯片的数据端与射频芯片的数据端相连接,所述方法包括如下步骤:步骤S1,所述射频读头用于向射频芯片辐射场强信号;步骤S2,所述射频芯片接收场强信号并控制第一升压开关电路导通;步骤S3,所述主控芯片上电启动,向第一升压开关电路发送电信号,以令所述第一升压开关电路保持导通;步骤S4,所述射频读头利用所述场强信号写入或擦除射频芯片的EEPROM中的上掉电标志位;步骤S5,当所述射频读头停止向射频芯片辐射场强信号时,所述主控芯片控制第二升压开关电路导通;步骤S6,所述射频芯片上电,所述主控芯片读取所述射频芯片的EEPROM中的上掉电标志位,并对上掉电标志位进行判断:若上掉电标志位置起,则执行步骤S7,若上掉电标志位未置起,则执行步骤S8;步骤S7,所述主控芯片控制第一升压开关电路保持导通并将第二升压开关电路关断;步骤S8,所述主控芯片控制第一升压开关电路关断,该主控芯片掉电而进入深度休眠状态。

优选地,所述步骤S8中,若上掉电标志位未置起,所述主控芯片延时1秒后控制第一升压开关电路关断。

优选地,所述步骤S7之后还包括:所述主控芯片间隔1小时控制第二升压开关电路导通,并重新执行步骤S6。

优选地,所述第一升压开关电路和第二升压开关电路均由高电平信号控制导通。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉瑞纳捷电子技术有限公司,未经武汉瑞纳捷电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711379871.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top