[发明专利]一种三层芯片集成方法

权利要求书

1.一种三层芯片集成方法，其特征在于，提供一具有第一金属互连层的第一衬底、一具有第二金属互连层的第二衬底和一具有第三金属互连层的第三衬底，包括以下步骤：

步骤S1，所述第一衬底的第一键合面和所述第二衬底的第二键合面相对设置后进行混合键合；

步骤S2，对所述第二衬底减薄第一预定厚度；

步骤S3，在所述第二衬底中对应所述第二金属互连层的位置进行第一金属线的引出，引出所述第一金属线的面作为第四键合面；

步骤S4，对所述第二衬底的所述第四键合面和所述第三衬底的第三键合面进行混合键合；

步骤S5，对所述第三衬底减薄第二预定厚度；

步骤S6，于所述第三衬底中对应所述第三金属互连层的位置进行第二金属线的引出，并于所述第三衬底表面形成一SiN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中的混合键合时，所述第一衬底位于所述第二衬底下方，且所述第一金属互连层对准所述第二金属互连层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中所述金属线的引出包括以下步骤：

步骤S31，在所述第二衬底中对应所述第二金属互连层的位置形成接触孔；

步骤S32，于所述接触孔内填充一金属层；

步骤S33，对所述金属层进行研磨，至露出所述第二衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中的混合键合为将所述第三衬底中的所述第三金属互连层对准所述第一金属线，随后进行键合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属互连层采用铜、镍、锡、锡银合金、锡银铜合金中一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述第二金属线的引出使用硅穿孔工艺。