[发明专利]具有高粘结性的低表面能高分子材料复合结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于低表面能高分子材料器件的表面处理的改性晶须，其特征在于，所述改性晶须包括晶须和晶须表面包覆的包覆剂，所述包覆剂含有氨基；所述改性晶须是将晶须、包覆剂在水相中混合反应得到；所述水相环境为水或Tris-HCl缓冲溶液；所述反应的温度为10-60℃，时间为4-72小时；其中，所述晶须为四针形氧化锌晶须，简称T-ZnO_w；所述包覆剂为：多酚类小分子至少一种与多胺类分子至少一种的混合物、多酚类小分子至少一种与多胺类分子至少一种的聚合产物；所述多胺类分子选自多乙烯多胺；所述多酚类小分子和多胺类分子的摩尔比例为3:1-1:5。

2.根据权利要求1所述的改性晶须，其特征在于，所述多酚类小分子选自单宁酸、多巴胺、邻苯二酚中至少一种。

3.根据权利要求2所述的改性晶须，其特征在于，所述多酚类小分子为邻苯二酚。

4.根据权利要求1所述的改性晶须，其特征在于，所述多乙烯多胺选自二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、五乙烯六胺中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的改性晶须，其特征在于，所述多乙烯多胺为四乙烯五胺。

6.根据权利要求1所述的改性晶须，其特征在于，所述包覆剂为多酚类小分子至少一种与多胺类分子至少一种的聚合产物。

7.根据权利要求1所述的改性晶须，其特征在于，所述多酚类小分子和多胺类分子的摩尔比例为1:1、3:4、1:2、3:8。

8.根据权利要求1所述的改性晶须，其特征在于，所述T-ZnO_w的晶须规整度80％；T-ZnO_w的晶须针粗0.5-5μm；T-ZnO_w的针长10-50μm。

9.根据权利要求8所述的改性晶须，其特征在于，所述T-ZnO_w的晶须规整度为80％-95％；T-ZnO_w的晶须针粗为1-3μm；T-ZnO_w的针长为20-35μm。

10.一种用于低表面能高分子材料器件的表面处理的表面处理剂，其特征在于，所述表面处理剂包含低表面能高分子材料乳液与权利要求1-9任一项所述的改性晶须。

11.根据权利要求10所述的表面处理剂，其特征在于，所述低表面能高分子材料乳液的固含量为30-60wt％。

12.根据权利要求11所述的表面处理剂，其特征在于，所述低表面能高分子材料乳液的固含量为40-50wt％。

13.根据权利要求11所述的表面处理剂，其特征在于，所述低表面能高分子材料乳液的固含量为30wt％、40wt％、60wt％。

14.根据权利要求10所述的表面处理剂，其特征在于，所述低表面能高分子材料选自聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯。

15.一种复合结构，其特征在于，所述复合结构包含低表面能高分子材料器件与设置在所述低表面能高分子材料器件表面的表面处理剂层，该层中的表面处理剂为权利要求10-14任一项所述的表面处理剂。

16.根据权利要求15所述的复合结构，其特征在于，所述复合结构还包括位于所述表面处理剂层之上的另一低表面能高分子材料器件。

17.根据权利要求16所述的复合结构，其特征在于，位于表面处理剂层两侧的低表面能高分子材料器件相同或不同，选自膜、板材、管材或异型材。