[发明专利]一种晶圆级封装结构、制备方法及其吸气剂的激活方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，包括读出电路衬底(2)以及设置于所述读出电路衬底(2)上表面且与所述读出电路衬底(2)电连接的像元(31)和盲元(32)，其特征在于，还包括设置于所述读出电路衬底(2)上表面且位于所述像元(31)底部的第一吸气剂(4)和设置于所述盲元(32)上表面的第二吸气剂(5)，所述第一吸气剂(4)、第二吸气剂(5)与读出电路衬底(2)之间电连接，所述第一吸气剂(4)为镜面材料，以反射外部照射的红外光至像元，所述第二吸气剂(5)为遮光材料，以阻止外部红外光照射至盲元。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一吸气剂(4)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述像元(31)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影重合。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二吸气剂(5)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述盲元(32)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影重合。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括封盖晶圆(1)以及设置于所述封盖晶圆(1)下表面的第三吸气剂(6)，所述封盖晶圆(1)与所述读出电路衬底(2)构成密闭封装结构，所述像元(31)和所述盲元(32)在所述密闭封装结构内，所述第三吸气剂(6)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述像元(31)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影不重合。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括与读出电路衬底电连接的激活电极(7)。

6.一种晶圆级封装结构的制备方法，所述晶圆级封装结构包括读出电路衬底(2)以及设置于所述读出电路衬底(2)上表面且与所述读出电路衬底(2)电连接的像元(31)和盲元(32)，其特征在于，包括步骤A和步骤B；

所述步骤A包括：

A1、在所述读出电路衬底(2)上表面通过光刻工艺获得与第一吸气剂(4)对应的凹槽；

A2、根据与第一吸气剂(4)对应的凹槽以及物理气相沉积工艺在所述读出电路衬底(2)上表面沉积第一吸气剂(4)，所述第一吸气剂(4)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述像元(31)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影重合；

所述步骤B包括：

B1、在所述盲元(32)上表面通过光刻工艺获得与第二吸气剂(5)对应的凹槽；

B2、根据与第二吸气剂(5)对应的凹槽以及物理气相沉积工艺在所述盲元(32)上表面沉积第二吸气剂(5)，所述第二吸气剂(5)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述盲元(32)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影重合；

所述第一吸气剂(4)、第二吸气剂(5)与读出电路衬底(2)之间电连接，所述第一吸气剂(4)为镜面材料，以反射外部照射的红外光至像元，所述第二吸气剂(5)为遮光材料，以阻止外部红外光照射至盲元。

7.如权利要求6所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，还包括步骤C，所述晶圆级封装结构还包括封盖晶圆(1)，所述步骤C包括：

C1、在所述封盖晶圆(1)下表面通过光刻工艺获得与第三吸气剂(6)对应的凹槽；

C2、根据与第三吸气剂(6)对应的凹槽以及物理气相沉积工艺在所述封盖晶圆(1)下表面沉积第三吸气剂(6)，所述第三吸气剂(6)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影与所述像元(31)在所述读出电路衬底(2)上表面的投影不重合。

8.如权利要求7所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤C之后还包括：

将所述封盖晶圆(1)与所述读出电路衬底(2)构成密闭封装结构，使所述像元(31)与所述盲元(32)位于所述密闭封装结构内。

9.一种激活如权利要求1-5任意一项所述的晶圆级封装结构内的吸气剂的激活方法，其特征在于，所述第一吸气剂(4)和/或所述第二吸气剂(5)的激活方式为电激活和/或热激活。

10.如权利要求9所述的激活晶圆级封装结构内的吸气剂的激活方法，其特征在于，封盖晶圆(1)下表面设置有第三吸气剂(6)，所述第三吸气剂(6)的激活方式为电激活和/或热激活。