[发明专利]一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201711378330.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN107987732B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 裴亚利;陈海海;操应军;李宝德 | 申请(专利权)人: | 北京航天赛德科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 11303 北京方韬法业专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 马丽莲 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光液 二氧化硅胶体 蓝宝石 平面抛光 粒径 二氧化硅颗粒 表面活性剂 抗结晶剂 抛光表面 抛光效率 去离子水 抛光 分散剂 络合剂 消泡剂 吸附 制备 解析 平衡 配合 | ||
1.一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,包括如下重量百分含量的组分:
二氧化硅胶体10-50%
分散剂0.01-0.5%
抗结晶剂0.1-2%
络合剂0.01-0.2%
表面活性剂0.01-0.5%
消泡剂0.01-0.5%
适量pH调节剂调节pH值在8.5-11.5,余量为去离子水;
其中,二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒粒径40-150nm,比表面积与粒径存在如下关系:S/DS2=0.0020-0.0675,S以m2/g,DS为二氧化硅胶体颗粒的平均粒径,以纳米计。
2.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,包括如下重量百分含量的组分:
二氧化硅胶体35-40%
分散剂0.05-0.2%
抗结晶剂0.5-1%
络合剂0.05-0.1%
表面活性剂0.05-0.1%
消泡剂0.05-0.1%
适量pH调节剂调节pH值在9.5-10.5,余量为去离子水。
3.根据权利要求1或2所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述二氧化硅颗粒粒径80-110nm,比表面积与粒径存在如下关系:S/DS2==0.0020-0.0100。
4.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述pH调节剂采用pH酸性调节剂或pH碱性调节剂;
所述pH酸性调节剂采用盐酸、硝酸、草酸、柠檬酸或磷酸中的任一种;
所述pH碱性调节剂采用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、三乙醇胺、乙二胺、四甲基氢氧化铵中的任一种。
5.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述分散剂采用甲基硅油和异丙醇,重量配比为1:5-10。
6.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述抗结晶剂采用山梨糖醇、乙二醇中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述络合剂采用乙二胺四乙酸二钠、四甲基氯化铵中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述表面活性剂采用脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、十六烷基三甲基溴化铵、聚丙烯酸钠中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,所述消泡剂采用聚醚消泡剂、有机硅消泡剂中的一种或多种。
10.权利要求1-9任一项所述的用于蓝宝石平面抛光的抛光液的制备方法,其特征在于,将所述分散剂与去离子水混合稀释,持续搅拌,在搅拌条件下,向二氧化硅胶体水溶液中加入,再依次加入抗结晶剂、络合剂、表面活性剂和消泡剂,最后用pH调节剂调整pH值,补足去离子水调节含量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天赛德科技发展有限公司,未经北京航天赛德科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711378330.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种印染设备
- 下一篇:一种UE、基站和服务中心中的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造